DIODES(美台)
SMB
¥0.463
15895
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
DO-41
¥0.2235
20
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMB
¥5.83
0
ST(意法半导体)
DO-247
¥11.239
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):30A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.55 V @ 30 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MICROCHIP(美国微芯)
TO-220-2
¥5.808
5000
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):30A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):2.4 V @ 30 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
最后售卖
onsemi(安森美)
TO-247-2
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):80A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.9 V @ 80 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
停产
onsemi(安森美)
TO-220AC-2L
¥6.77
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.5 V @ 8 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
D2PAK
¥12.84
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 20 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
AnBon(安邦)
SOD-123
¥0.1796
30
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A
Digi-Key 停止提供
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.3216
30
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Digi-Key 停止提供
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
TO-220AC-2
¥1.8
15
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 8 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
D2PAK
¥1.82
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):500 V,电流 - 平均整流 (Io):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 8 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
TO-220F
¥1.64
0
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):16A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 8 A
YANGJIE(扬杰)
SMAF(DO-214AD)
¥0.06254
5600
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
DO-214AA(SMB)
¥0.28728
754
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
DO-201AD
¥1.17
4
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SMC(桑德斯)
SMA(DO-214AC)
¥0.1144
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SMAF
¥0.032
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:1A
PANJIT(强茂)
DO-15
¥0.1671
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A
ROHM(罗姆)
SOD-128
¥2.9
8
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 1.5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
WeEn(瑞能)
TO-220F
¥5.8
1
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):20A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.36 V @ 10 A
PANJIT(强茂)
SMA-W
¥0.1769
380
正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@200V
PANJIT(强茂)
DO-214AA(SMB)
¥0.2312
10
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.667632
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.8902
120
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
DO-214AD
¥0.0627
11645
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A
YANGJIE(扬杰)
F2
¥128.08
0
二极管配置:1对串联式,正向压降(Vf):1.15V@200A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:200A
YANGJIE(扬杰)
SOD-123
¥0.2517
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.59
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):920mV@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A
晶导微电子
TO-252
¥0.3591
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):2.8V@10A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:10A
LGE(鲁光)
SOD-123FL
¥0.0371
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.15V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
WeEn(瑞能)
TO-247-2L
¥9.83
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):2.8V@40A,直流反向耐压(Vr):1.2kV,整流电流:40A
GOODWORK(固得沃克)
DO-27
¥0.1805
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.85V@3A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:3A
DIODES(美台)
SMC
¥0.787
0
正向压降(Vf):1.3V@3A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA@600V
MCC(美微科)
DO-41
¥0.1361
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):300 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
WeEn(瑞能)
TO-252
¥1.0042
0
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 10 A
PANJIT(强茂)
ITO-220AB
¥1.98
26
正向压降(Vf):1.3V@8A,直流反向耐压(Vr):400V,反向电流(Ir):1uA,反向恢复时间(Trr):50ns
SHIKUES(时科)
SOD-123FL
¥0.0363
2991
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
DO-15
¥0.2916
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A
JUXING(钜兴)
SMBF
¥0.053152
5000
正向压降(Vf):1.65V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@600V
Slkor(萨科微)
SOD-123FL
¥0.0424
50
正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SOD-123F
¥0.1442
0
正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@600V
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.4494
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):875 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
TWGMC(台湾迪嘉)
¥0.0747
0
ST(意法半导体)
ISOTOP
¥117.003
1
二极管配置:2 个独立式,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):45A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):2.1 V @ 45 A
DIODES(美台)
D-FLAT
¥0.25
25340
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
Littelfuse(美国力特)
TO-247-3
¥3.6992
6
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):300 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):15A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 15 A
ST(意法半导体)
TO-220AC-2
¥7.1883
25
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):3.4 V @ 8 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
JJW(捷捷微)
¥0.132
33750