Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):800mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 800 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
DOP-3I
¥18.09
1
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V,电流 - 平均整流 (Io):15A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):2.1 V @ 15 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
TOP-3I
¥52.34
1
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):15A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):3.6 V @ 15 A
VISHAY(威世)
DO-201AD
¥2.4
3
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
TO-247AC-2
¥10.59
3
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V,电流 - 平均整流 (Io):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):3.3 V @ 8 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
DO-214AB(SMC)
¥0.6834
3
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
DO-214AA(SMB)
¥0.3273
5
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
ITO-220AC
¥1.128
1
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.45V@8A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:8A
晶导微电子
SMC
¥0.21954
6000
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@5A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:5A
LRC(乐山无线电)
DO-41
¥0.1179
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
SILAN(士兰微)
TO-247S-3L
¥3.29
0
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.25V@30A,直流反向耐压(Vr):300V,整流电流:30A
PANJIT(强茂)
SMA-W
¥0.191
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SMC
¥0.5801
0
正向压降(Vf):875mV@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@200V
DIOTEC(德欧泰克)
TO-220AC-2
¥2.01
0
正向压降(Vf):1.75V@8A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:8A,反向电流(Ir):5uA@600V
ElecSuper(静芯)
SMB
¥0.0728
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A
MICROCHIP(美国微芯)
TO-220-2
¥11.97
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):15A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.8 V @ 15 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
WeEn(瑞能)
TO-220AC
¥1.186
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):500 V,电流 - 平均整流 (Io):9A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 8 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
TO-220AC
¥1.33
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):2.8 V @ 8 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
DO-27
¥0.25528
1505
正向压降(Vf):1.65V@5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:6A,反向电流(Ir):10.5mA
CJ(江苏长电/长晶)
DO-214AD
¥0.1019
0
正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@200V
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.071
0
正向压降(Vf):950mV@1.0A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
DO-15
¥0.2462
0
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):1.3V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A
YFW(佑风微)
SMB
¥0.2364
0
正向压降(Vf):1.65V@5A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:5A,反向电流(Ir):5uA@400V
PANJIT(强茂)
TO-220AC
¥1.78
48
正向压降(Vf):1.3V@10A,直流反向耐压(Vr):300V,整流电流:10A,反向电流(Ir):1.5mA
PANJIT(强茂)
SMA(DO-214AC)
¥0.3094
1730
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
KUU(永裕泰)
SMB
¥0.096
200000
正向压降(Vf):1.65V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A,反向恢复时间(Trr):75ns
VISHAY(威世)
TO-252(DPAK)
¥3.21
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):970 mV @ 8 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
TO-252
¥2.1136
2624
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.55 V @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
TO-252
¥2.4366
190
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):920 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SMC(桑德斯)
ITO-220AC
¥1.79
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):300 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io),反向恢复时间 (trr):45 ns
ROHM(罗姆)
TO-252
¥2.4853
2365
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.55 V @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
ISOTOP
¥131.63
20
二极管配置:2 个独立式,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):60A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.55 V @ 60 A
YANGJIE(扬杰)
DO-27
¥0.3678
0
正向压降(Vf):1.3V@3.0A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:3A,反向电流(Ir):2.5uA
晶导微电子
SOD-123F
¥0.053
6
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A
VISHAY(威世)
TO-247AD-2
¥7.461
1595
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V,电流 - 平均整流 (Io):30A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):2.68 V @ 30 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
SOD-123FL
¥0.70217
1000
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SUNMATE(森美特)
¥0.1265
31900
GOODWORK(固得沃克)
¥0.03937
2360
ROHM(罗姆)
TO-252
¥2.9802
3156
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):6A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):930 mV @ 3 A
YFW(佑风微)
SMC
¥0.2128
3000
正向压降(Vf):950mV,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA
PANJIT(强茂)
¥0.393
300
SUNMATE(森美特)
¥0.0345
24000
CJ(江苏长电/长晶)
DO-214AD
¥0.06706
1640
正向压降(Vf):1.3V@2A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA
晶导微电子
SMB
¥0.2003
2980
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@3A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:3A
RUILON(瑞隆源)
SMB
¥0.155584
110
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@3A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:3A
ST(意法半导体)
TO-220AB
¥1.4
0
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):2 V @ 5 A
MDD(辰达行)
¥0.0499
2990
MDD(辰达行)
¥0.0561
20624
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.1152
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
KUU(永裕泰)
¥0.0465
50000