晶导微电子
TO-252
¥0.3041
2455
正向压降(Vf):1V@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A,反向电流(Ir):1.3mA
华轩阳
SMA
¥0.311015
195
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
SUNMATE(森美特)
DO-27
¥0.2695
24800
正向压降(Vf):950mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A,反向电流(Ir):5uA@200V
CJ(江苏长电/长晶)
SMCG
¥0.2935
2790
正向压降(Vf):950mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A,反向电流(Ir):10uA
PANJIT(强茂)
DO-15
¥0.3223
6005
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A
RUILON(瑞隆源)
SMC
¥0.3241
90
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.3283
5
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 10 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
PANJIT(强茂)
DO-214AA(SMB)
¥0.3286
1555
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.4289
576
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SUNMATE(森美特)
DO-27
¥0.34048
1845
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@400V
MSKSEMI(美森科)
SMC
¥0.334875
2450
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@3A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:3A
RUILON(瑞隆源)
SMC
¥0.3363
1400
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@5A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:5A
DIODES(美台)
DO-214AC
¥0.372
19394
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.332
6548
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):920 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
D-FLAT
¥0.35511
3090
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SMC
¥0.367
0
正向压降(Vf):1.1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA
DIODES(美台)
D-FLAT
¥0.407
18419
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
DO-27
¥0.34736
5283
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:5A
CJ(江苏长电/长晶)
SMCG
¥0.3735
0
晶导微电子
TO-252
¥0.3753
4050
正向压降(Vf):1.7V@10A,直流反向耐压(Vr):500V,整流电流:10A,反向电流(Ir):1.3mA
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.3822
119
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
SUNMATE(森美特)
R-6
¥0.498085
385
正向压降(Vf):1V@6A,直流反向耐压(Vr):300V,整流电流:6A,反向电流(Ir):10uA@300V
SUNMATE(森美特)
R-6
¥0.4788
305
正向压降(Vf):1V@6A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:6A,反向电流(Ir):10uA@200V
MCC(美微科)
DO-41
¥0.10081
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
DO-214AC
¥0.4
2758
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1.5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMB
¥0.5434
325
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1.5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LRC(乐山无线电)
SMC
¥0.51
2950
晶导微电子
TO-252-2
¥0.4113
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):2.8V@10A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:10A
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.4179
4220
正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.4288
2175
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A
SUNMATE(森美特)
R-6
¥0.4788
230
正向压降(Vf):1.3V@6A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:6A,反向电流(Ir):10uA@400V
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
DO-15
¥0.3411
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
SMC
¥0.33
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@5A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:5A
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.4587
1865
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):920mV@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.4735
80
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A
ST(意法半导体)
SOD-123F
¥2.14
218
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
DO-27
¥0.63
1251
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.85V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A
LGE(鲁光)
SMC
¥0.498085
1725
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@3A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:3A
GOODWORK(固得沃克)
TO-277
¥0.4982
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@8A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:8A
VISHAY(威世)
DO-214AA(SMB)
¥0.52
123378
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SMCG
¥0.4996
260
正向压降(Vf):1.25V@3A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@400V
Slkor(萨科微)
TO-252
¥0.31495
115
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@10A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:10A
LGE(鲁光)
SMC
¥0.528
0
二极管配置:独立式,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:8A,反向电流(Ir):10uA@1000V
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.6633
2876
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):920mV@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
DO-214AC
¥0.5255
850
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):950mV@1A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:1A
CJ(江苏长电/长晶)
SMCG
¥0.5429
1925
正向压降(Vf):1.25V@3A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@600V
DIODES(美台)
SMC
¥0.537059
13950
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-204AL
¥0.509
10626
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
DO-15
¥0.329275
22
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1.5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-41
¥0.509
2575
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)