RUILON(瑞隆源)
SMC
¥0.2956
125
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A
CJ(江苏长电/长晶)
SMBG
¥0.2988
0
正向压降(Vf):950mV@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SOD-323FL
¥0.7252
300
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):980 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.3593
7300
YFW(佑风微)
DO-27
¥0.25768
370
正向压降(Vf):1.1V,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:10A,反向电流(Ir):10uA
YFW(佑风微)
DO-27
¥0.3489
725
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:4A
SUNMATE(森美特)
DO-27
¥0.31388
360
正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA@200V
PANJIT(强茂)
SMA
¥0.3428
105
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A
RUILON(瑞隆源)
SMC
¥0.3267
85
正向压降(Vf):1.7V@5A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:5A,反向电流(Ir):10uA
LGE(鲁光)
SMC
¥0.14288
6880
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@3A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:3A
PANJIT(强茂)
DO-201AD
¥0.3333
3836
正向压降(Vf):1.7V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):1uA
YANGJIE(扬杰)
SMC(DO-214AB)
¥0.3721
495
正向压降(Vf):1.3V@3.0A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA
YANGJIE(扬杰)
DO-27
¥0.6098
1080
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@3A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:3A
DIODES(美台)
SOD-123F
¥0.3428
10580
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-219AB
¥0.3519
65194
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):980 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMB
¥0.35856
2317
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1.5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Slkor(萨科微)
TO-252
¥0.2502
1045
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.3118
4735
正向压降(Vf):950mV@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A,反向电流(Ir):50uA
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
DO-214AC(SMA)
¥0.4342
2437
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):800mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 800 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-123FL
¥0.679952
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.4714
165
正向压降(Vf):1V@3.0A,直流反向耐压(Vr):200V,反向电流(Ir):5uA@200V,反向恢复时间(Trr):50ns
Digi-Key 停止提供
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.3873
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.4 V @ 1.5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
DO-201AD
¥0.5111
990
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@3A,直流反向耐压(Vr):300V,整流电流:3A
YANGJIE(扬杰)
R-6
¥0.5641
0
正向压降(Vf):1.1V@6A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:6A,反向电流(Ir):2.5uA
ST(意法半导体)
DO-41
¥0.518
14328
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):970 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SMA
¥0.5782
6282
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):800mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.45 V @ 800 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
DO-201AD
¥0.6529
1160
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:5A
PANJIT(强茂)
DO-201AD
¥0.581
1590
正向压降(Vf):1.7V@5A,直流反向耐压(Vr):400V,反向电流(Ir):1uA@400V,反向恢复时间(Trr):35ns
DIODES(美台)
SMB
¥0.64
10760
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
SMC
¥0.5903
690
正向压降(Vf):1V@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A,反向电流(Ir):5uA@200V
CJ(江苏长电/长晶)
SMCG
¥0.7193
2900
正向压降(Vf):875mV@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA
DIODES(美台)
SMC
¥0.574
22882
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
SMC
¥0.642
4973
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SMC
¥0.6633
0
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):950mV@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A
PANJIT(强茂)
DO-201AD
¥0.5806
1860
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@3A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:3A
onsemi(安森美)
DO-214AA(SMB)
¥0.8004
265
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.7296
1925
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@3A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:3A
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
DO-214AC(SMA)
¥0.7458
27665
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):980 mV @ 1.1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-123HE
¥0.447776
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1.2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1.2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMB
¥0.56056
30716
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMB
¥0.7675
4440
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
TO-220AB
¥0.756
665
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1V@8A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:16A
DIODES(美台)
SMC
¥0.811
28522
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
TO-220AB
¥0.83106
40
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):800mV@6A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:12A
LGE(鲁光)
ITO-220AC
¥0.83011
120
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.5V@8A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:8A
YANGJIE(扬杰)
DO-27
¥0.6178
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
TO-220F
¥0.9903
45
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.25V@10A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:20A
YANGJIE(扬杰)
R-6
¥0.9346
96
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@6A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:6A
PANJIT(强茂)
ITO-220AB-3
¥1.3688
250
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.3V@8A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:16A
VISHAY(威世)
SMB(DO-214AA)
¥0.8888
5378
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.6 V @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)