LGE(鲁光)
DO-15
¥0.290225
4220
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A
VISHAY(威世)
DO-214AC
¥0.271
13498
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SMBG
¥0.3269
2900
正向压降(Vf):875mV@1.0A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A,反向电流(Ir):2uA
晶导微电子
TO-252-2
¥0.2805
1124
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@10A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:10A
LGE(鲁光)
SMB
¥0.31255
7220
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A
CJ(江苏长电/长晶)
SMCG
¥0.32
1715
正向压降(Vf):1.25V@5A,直流反向耐压(Vr):300V,整流电流:5A,反向电流(Ir):10uA@300V
RUILON(瑞隆源)
SMC
¥0.329
15
正向压降(Vf):1.3V@3.0A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA
CJ(江苏长电/长晶)
DO-27
¥0.3802
705
正向压降(Vf):1.7V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA
YANGJIE(扬杰)
DO-27
¥0.6633
1190
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@3A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:3A
晶导微电子
TO-252
¥0.3527
1730
正向压降(Vf):1.1V@10A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:10A,反向电流(Ir):5uA
MCC(美微科)
SOD-123FL
¥0.3546
10
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.4 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
TO-252
¥0.369
45
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):2.3V@5A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:5A
DIODES(美台)
SOT-363
¥0.356
8408
二极管配置:2 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):80 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):250mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 150 mA
YANGJIE(扬杰)
DO-27
¥0.4107
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@3A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:3A
ST(意法半导体)
DO-41
¥0.8509
235
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.9 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.4286
30
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@2A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:2A
PANJIT(强茂)
DO-201AD
¥0.475
2843
正向压降(Vf):1.85V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A,反向电流(Ir):10uA
ROHM(罗姆)
SOD-128
¥0.52416
2055
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.6107
2980
onsemi(安森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.529872
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):300 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
DO-214AA
¥0.56
3776
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMB
¥0.499
16323
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-214AA(SMB)
¥0.5873
53844
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
DO-27
¥0.29232
175
正向压降(Vf):1.3V@5A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:5A,反向电流(Ir):2.5uA
ZHIDE(志得)
SMC
¥0.57672
1440
正向压降(Vf):890mV@4A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:4A,反向电流(Ir):5uA@200V
CJ(江苏长电/长晶)
DO-27
¥0.6459
590
正向压降(Vf):1.7V@5A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:5A,反向电流(Ir):5uA
YANGJIE(扬杰)
SMC(DO-214AB)
¥0.63
0
正向压降(Vf):1.7V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:5A,反向电流(Ir):5uA
ST(意法半导体)
DO-15
¥0.327
9772
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.5 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-214AB(SMC)
¥0.79872
8754
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):300 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMB
¥0.8
1413
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
DO-214AC
¥0.735
7219
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.6 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.8352
2110
onsemi(安森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.8759
305
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
TO-252-2L
¥0.8253
295
正向压降(Vf):1.6V@8A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:8A,反向电流(Ir):10uA@600V
JSMSEMI(杰盛微)
TO-220AB
¥0.864
2040
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.7V@15A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:15A
VISHAY(威世)
DO-15
¥0.836
20050
正向压降(Vf):950mV@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA@200V
VISHAY(威世)
DO-15
¥0.836
3038
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):950 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
TO-263
¥0.879985
365
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.7V@5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:10A
Tokmas(托克马斯)
TO-220-2
¥0.9184
25
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.4V@15A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:15A
LGE(鲁光)
ITO-220AB
¥0.99693
181
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.55V@10A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:10A
YFW(佑风微)
TO-263
¥1.0998
738
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.2V@8A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:8A
KIA(可易亚)
TO-220AC-2
¥1.00016
445
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.8V@8A,直流反向耐压(Vr):700V,整流电流:8A
YFW(佑风微)
TO-220AB
¥1.0316
70
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1V,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:16A
onsemi(安森美)
SMA(DO-214AC)
¥1.36
160
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 1.5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
DO-221AA,SMB(直引线)
¥2.21
4
技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.55 V @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
TO-220F
¥1.26
108
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.85V@15A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:30A
YFW(佑风微)
TO-220AB
¥1.29
14
正向压降(Vf):810mV,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:20A,反向电流(Ir):100nA
RUILON(瑞隆源)
ITO-220AB
¥1.21
17
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.3V@5A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:10A
onsemi(安森美)
SOD-123FL
¥0.730352
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
TO-220AB
¥1.215
132
二极管配置:1对共阳极,正向压降(Vf):1.85V@15A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:30A