DIODES(美台)
DO-41
¥0.122
35490
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMA
¥0.206
29500
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SMBF
¥0.1375
140
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:5A
TWGMC(台湾迪嘉)
SMC
¥0.144
5370
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.68V@3A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:3A
晶导微电子
SMBF
¥0.1485
21662
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A
YANGJIE(扬杰)
DO-41
¥0.1723
440
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
晶导微电子
SMC
¥0.1946
3070
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:4A
LGE(鲁光)
DO-27
¥0.18221
115
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@3A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:3A
SHIKUES(时科)
SMC
¥0.02124
2040
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@5A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:5A
GOODWORK(固得沃克)
SMC(DO-214AB)
¥0.189805
850
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@6A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:6A
晶导微电子
SMC
¥0.2012
250
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A
LGE(鲁光)
DO-206
¥0.22325
4300
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):25V,直流反向耐压(Vr):8kV,整流电流:5mA
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.18705
7106
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
MSKSEMI(美森科)
SMA
¥0.19638
8080
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A
SUNMATE(森美特)
DO-27
¥0.242
24295
正向压降(Vf):1V@5A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:5A,反向电流(Ir):5uA@300V
YFW(佑风微)
DO-27
¥0.2767
1170
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.28V,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:5A
CJ(江苏长电/长晶)
SMCG
¥0.2599
2320
正向压降(Vf):1.25V@3A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.2576
3070
正向压降(Vf):1.25V@1.0A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
晶导微电子
TO-252-2
¥0.2585
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@8A,直流反向耐压(Vr):300V,整流电流:8A
onsemi(安森美)
DO-41
¥0.209328
6
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMA
¥0.2596
42872
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
DO-27
¥0.3091
125
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@3A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:3A
YFW(佑风微)
DO-212
¥0.305425
4585
正向压降(Vf):35V@10mA,直流反向耐压(Vr):12kV,整流电流:10mA,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):500mA
YFW(佑风微)
DO-27
¥0.349
1135
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.75V,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A
YANGJIE(扬杰)
SMAF(DO-214AD)
¥0.1986
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):920mV@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A
RUILON(瑞隆源)
SMC
¥0.3644
0
直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:5A,反向电流(Ir):10uA@VRRM,反向恢复时间(Trr):75ns
LGE(鲁光)
DO-27
¥0.424
2305
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@5A,直流反向耐压(Vr):300V,整流电流:5A
onsemi(安森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.269181
30500
正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@600V
DIODES(美台)
SMB
¥0.442
56251
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.571424
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):500 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SMCG
¥0.6746
2800
正向压降(Vf):1.28V@4A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:4A,反向电流(Ir):10uA
DIODES(美台)
SMB
¥0.610387
8861
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMC
¥0.6215
75888
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMB
¥0.645
14779
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):920 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMB
¥0.6838
11319
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMC
¥0.8
33971
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
TO-220FPAB
¥0.7008
3719
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 5 A
JSMSEMI(杰盛微)
TO-220AB
¥0.94365
20
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.2V@10A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:8A
ST(意法半导体)
SOD-128
¥0.8948
6323
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.02 V @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
TO-220AC
¥1.0735
53
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.03V,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:10A
YFW(佑风微)
TO-220F
¥1.2
259
正向压降(Vf):1.1V,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:16A,反向电流(Ir):1uA
RUILON(瑞隆源)
TO-220AB
¥1.23
94
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.7V@5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:10A
YFW(佑风微)
DO-722
¥1.31
189
正向压降(Vf):14V@350mA,直流反向耐压(Vr):12kV,整流电流:350mA,反向电流(Ir):5uA
ST(意法半导体)
TO-220
¥1.4129
27661
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 5 A
RUILON(瑞隆源)
ITO-220AB
¥1.71
500
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):975mV@10A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:20A
ST(意法半导体)
TO-220-2
¥2.96
1997
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):2.9 V @ 8 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
TO-263
¥1.91
420
正向压降(Vf):1.3V@10A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:20A,反向电流(Ir):5uA@400V
onsemi(安森美)
插件,D4.8xL7.3mm
¥2.34
202
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):4A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.28 V @ 4 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
TO-220AB
¥1.94
10853
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):975 mV @ 8 A
YANGJIE(扬杰)
TO-220F
¥1.74
985
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.45V@8A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:16A