TWGMC(台湾迪嘉)
SMB
¥0.041
6640
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@2A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:2A
晶导微电子
SMAF
¥0.0418
442789
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.68V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A
晶导微电子
SMAF
¥0.0418
216827
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A
ElecSuper(静芯)
DO-214AC(SMA)
¥0.0551
420
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A
MDD(辰达行)
SMAF
¥0.0561
9063
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@2.0A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.0583
21485
正向压降(Vf):1.3V@1.0A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@400V
LGE(鲁光)
SMA(DO-214AC)
¥0.05859
4429
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):950mV@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A
SUNMATE(森美特)
DO-41
¥0.06384
2860
正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@800V
CJ(江苏长电/长晶)
SOD-123FL
¥0.0646
1450
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
晶导微电子
SMA
¥0.0739
4800
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:2A
TWGMC(台湾迪嘉)
SMB
¥0.066
4120
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A
SHIKUES(时科)
SMA
¥0.06726
4940
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A
TWGMC(台湾迪嘉)
SMB
¥0.068376
3420
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.09702
13952
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
SMA
¥0.1123
42559
正向压降(Vf):1.25V@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A,反向恢复时间(Trr):35ns
MCC(美微科)
SMA(DO-214AC)
¥0.165
10258
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MDD(辰达行)
DO-214AB(SMC)
¥0.15044
8272
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.68V@3A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:3A
CJ(江苏长电/长晶)
SMBG
¥0.17
15010
正向压降(Vf):1.7V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA
SHIKUES(时科)
SMC
¥0.16616
29428
二极管配置:1个独立式,正向压降(Vf):1.3V@5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:5A
DIODES(美台)
DO-214AC,SMA
¥0.267
37249
技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
DO-214AA(SMB)
¥0.4139
2080
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
SMB
¥0.5575
20709
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
DO-214AC(SMA)
¥0.51896
23909
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):870 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
DO-214AB(SMC)
¥0.5364
300
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.25 V @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
SMB
¥0.53872
33781
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):4A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.05 V @ 4 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SMC(桑德斯)
SMC
¥0.6676
520
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@3A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:3A
DIODES(美台)
SMB
¥1
43217
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
TO-252
¥0.72696
2496
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.45V@5A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:10A
VISHAY(威世)
TO-220AC-2
¥3.89
694
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):30A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):2.6 V @ 30 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
D2PAK
¥8.97
788
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V,电流 - 平均整流 (Io):15A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):2.1 V @ 15 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.02812
6000
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.25V@1A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A
FOSAN(富信)
SMA
¥0.0253
92590
正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
FOSAN(富信)
SMA
¥0.0253
85800
正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@600V
晶导微电子
SOD-123F
¥0.0266
3506
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:1A
FUXINSEMI(富芯森美)
SOD-123
¥0.0308
4940
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
华轩阳
SMAF
¥0.036754
8560
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A
GOODWORK(固得沃克)
SMA(DO-214AC)
¥0.04149
3850
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.3V@2A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:2A
晶导微电子
SMA
¥0.0407
26909
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@2A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:2A
YFW(佑风微)
SMAF
¥0.0504
8600
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.65V,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A
TWGMC(台湾迪嘉)
SMB
¥0.055968
3300
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.68V@2A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:2A
YFW(佑风微)
SMA(DO-214AC)
¥0.04752
5520
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.65V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A
CJ(江苏长电/长晶)
DO-41
¥0.0582
3182
正向压降(Vf):1.3V@1.0A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.0638
21300
正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
LGE(鲁光)
DO-41
¥0.06517
12790
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@1A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:1A
ST(先科)
DO-41
¥0.0683
740
正向压降(Vf):1.3V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):500uA@1000V
GOODWORK(固得沃克)
SMB(DO-214AA)
¥0.07076
7680
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.7V@3A,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:3A
晶导微电子
SMA
¥0.0737
148559
直流反向耐压(Vr):54V,反向电流(Ir):1uA,工作结温范围:-65℃~+150℃,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):60A
YANGJIE(扬杰)
SMAF(DO-214AD)
¥0.04837
200
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.0836
96577
正向压降(Vf):1.7V@2A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:2A,反向电流(Ir):5uA
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.0949
10
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.85 V @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)