Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
0
MDD(辰达行)
¥0.0519
9
onsemi(安森美)
SMA(DO-214AC)
¥0.677376
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
停产
onsemi(安森美)
TO-220AC-2
¥7.95
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):30A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):2.4 V @ 30 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
最后售卖
onsemi(安森美)
TO-247-2
¥11.6184
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):80A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.6 V @ 80 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不适用于新设计
onsemi(安森美)
SOD-123F
¥0.578259
6699
技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-123FL
¥0.571424
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.05 V @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
停产
DIODES(美台)
R-6
¥1.81
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 10 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
停产
DIODES(美台)
DO-201AD
¥0.468
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 3 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-203AB
¥53.4215
1
二极管类型:标准型,反极性,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V,电流 - 平均整流 (Io):40A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 125 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
SC-76,SOD-323
0
二极管类型:PIN - 单,电压 - 峰值反向(最大值):50V,电流 - 最大值:50 mA,不同 Vr、F 时电容:0.35pF @ 5V,1MHz,不同 If、F 时电阻:5 欧姆 @ 10mA,100MHz
不适用于新设计
MCC(美微科)
DO-204AL,DO-41,轴向
¥0.0808
0
技术:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
TS-1
¥0.1259
80
正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
R-6
¥0.6729
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):6A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 6 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
0
二极管类型:标准,电流 - 平均整流 (Io):3A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io),反向恢复时间 (trr):1.5 µs,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 µA @ 1000 V
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
DO-204AL(DO-41)
¥0.1236
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
最后售卖
VISHAY(威世)
TO-277A
¥1.19
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):4A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 4 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
Littelfuse(美国力特)
TO-220AB-L
¥0.2176
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):12.7A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io),反向恢复时间 (trr):4 µs
Littelfuse(美国力特)
径向
¥576.25
0
电压 - 箝位:1200V(1.2kV),技术:混合技术,电路数:2,应用:高电压,安装类型:通孔
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
TO-252
¥2.7804
200
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):6A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 6 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMAF(DO-214AD)
¥0.0713
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMAF(DO-214AD)
¥0.0579
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
TO-252-2
¥0.3072
80
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:4A
ROHM(罗姆)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥1.0442
2698
二极管类型:PIN - 1 对串联,电压 - 峰值反向(最大值):50V,电流 - 最大值:50 mA,不同 Vr、F 时电容:0.9pF @ 35V,1MHz,不同 If、F 时电阻:7 欧姆 @ 10mA,100MHz
MCC(美微科)
SOT-23
¥0.017
0
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):180 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 200 mA
停产
MCC(美微科)
DO-15
¥0.3326
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 2 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
SMC(桑德斯)
ITO-220AB-3
¥1.6695
2
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMA(DO-214AC)
¥0.1017
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
DIODES(美台)
SMB(DO-214AA)
¥0.3508
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.15V@3A,直流反向耐压(Vr):800V,整流电流:3A
JJW(捷捷微)
¥0.5295
0
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.189
0
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A,反向电流(Ir):1uA@400V
DIOTEC(德欧泰克)
DO-213AB
¥0.4547
5
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1.8kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1.8kV
WeEn(瑞能)
TO-252
¥3.47
3
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 8 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
最后售卖
onsemi(安森美)
DPAK-3
¥4.92
3
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):2.6 V @ 8 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOD-80
¥0.4482
5
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):125 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.15 V @ 300 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
ST(先科)
SOD-123FL
¥0.047
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A
ST(先科)
SMA
¥0.0471
0
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
YFW(佑风微)
SMAF
¥0.0269
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):50V,整流电流:1A
MICROCHIP(美国微芯)
DO-35(DO-204AH)
¥5.77
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):225 V,电流 - 平均整流 (Io):400mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 400 mA,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-213AB
¥0.6966
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
D-55
¥178.76
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):40A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io),反向恢复时间 (trr):500 ns
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SMC(DO-214AB)
¥0.6019
2950
正向压降(Vf):1.15V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):10uA@1kV
CJ(江苏长电/长晶)
DO-214AD
¥0.034254
2700
正向压降(Vf):1V@1A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
MCC(美微科)
SOD-123FL
¥1.3
0
正向压降(Vf):1.1V@1.5A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1.5A,反向电流(Ir):5uA@1kV
JJW(捷捷微)
SMB(DO-214AA)
¥0.12
3000
直流反向耐压(Vr):1kV,工作结温范围:-55℃~+150℃
VISHAY(威世)
DO-203AB
¥39.45
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V,电流 - 平均整流 (Io):70A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.35 V @ 220 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-203AB
¥86.41
0
二极管类型:标准型,反极性,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200 V,电流 - 平均整流 (Io):70A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.35 V @ 220 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
DO-201AD
¥0.4428
0
SKYWORKS(思佳讯)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥3.9955
170
二极管类型:PIN - 1 对串联,电压 - 峰值反向(最大值):50V,不同 Vr、F 时电容:1pF @ 30V,1MHz,不同 If、F 时电阻:500 毫欧 @ 10mA,100MHz,功率耗散(最大值):250 mW