YANGJIE(扬杰)
SMB(DO-214AA)
¥0.1998
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 3 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
SMC(桑德斯)
ITO-220AB-3
¥1.859
3
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):300 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 8 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SMC(桑德斯)
ITO-220AB-3
¥2.4024
1
二极管配置:1 对共阳极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
DO-41
¥0.1754
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
SKYWORKS(思佳讯)
2-VSFN 裸露焊盘
¥9.7457
5
二极管类型:PIN - 单,电流 - 最大值:200 mA,不同 Vr、F 时电容:1.5pF @ 30V,1MHz,不同 If、F 时电阻:750 毫欧 @ 50mA,100MHz,功率耗散(最大值):2 W
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
DO-201AD
¥0.4052
5
正向压降(Vf):1V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@1kV
Digi-Key 停止提供
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SMC(DO-214AB)
¥0.5907
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):985 mV @ 8 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
SMAF-C
¥0.1047
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
UTC(友顺)
TO-252-2
¥1.35
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):480mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
LGE(鲁光)
DBS
¥0.2629
0
正向压降(Vf):1.1V,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1.5A,反向电流(Ir):5uA
PANJIT(强茂)
DO-201AD
¥0.3325
0
正向压降(Vf):1.2V@3A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@400V
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SMB(DO-214AA)
¥0.3893
0
正向压降(Vf):950mV@2A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:2A,反向电流(Ir):10uA@200V
DIODES(美台)
DFN-2(0.8x1.6)
¥0.362544
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):660 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
TO-252-2
¥0.22
0
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V@4A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:4A
LRC(乐山无线电)
SMA-FL
¥0.08725
20000
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
SMA(DO-214AC)
¥0.1294
0
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A,反向电流(Ir):1uA@400V
VISHAY(威世)
DO-214AA(SMB)
¥0.9556
25
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.15 V @ 1.5 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
Digi-Key 停止提供
VISHAY(威世)
TO-263-2
¥18.44
7
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):3 V @ 8 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
SMB(DO-214AA)
¥0.1778
10
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
DO-214AA(SMB)
¥0.3601
35
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 2 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
停产
onsemi(安森美)
D2PAK
¥6.31
3
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):4A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):2.8 V @ 4 A
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
TO-263AB
¥13.13
10
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):15A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 15 A
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
TO-263AB
¥15.57
10
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):20A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 20 A
onsemi(安森美)
SOD-323HE
¥0.554624
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
DO-201AD
¥7.7
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):6A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 6 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
ST(先科)
DO-41
¥0.065
0
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):30A
CJ(江苏长电/长晶)
DO-214AD
¥0.0719
3000
正向压降(Vf):1V@1.0A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
TO-252
¥6.4974
40
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 5 A
WeEn(瑞能)
ITO-220AC
¥2.56
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):500 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):2.9 V @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIOTEC(德欧泰克)
DO-41
¥0.082
1
正向压降(Vf):1.1V@1A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:1A,反向电流(Ir):5uA@1kV
KUU(永裕泰)
¥0.054
60000
KUU(永裕泰)
¥0.0465
50000
DIOTEC(德欧泰克)
¥0.3193
0
SUNMATE(森美特)
¥0.0672
24000
SUNMATE(森美特)
¥0.11
24000
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SOD-128
¥0.9845
2574
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 2 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
SUNMATE(森美特)
¥0.143
24000
停产
DIODES(美台)
X3-DFN0603-2
¥0.233
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):85 V,电流 - 平均整流 (Io):215mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.35 V @ 150 mA,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
onsemi(安森美)
SOT-23-3L
¥1.1383
275
二极管配置:1 对串联,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 200 mA
VISHAY(威世)
DO-203AB
¥20.7468
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):800 V,电流 - 平均整流 (Io):40A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.3 V @ 125 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-204AL(DO-41)
¥1.0546
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1000 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
DIOTEC(德欧泰克)
DO-201
¥0.3818
0
正向压降(Vf):1.2V@3A,直流反向耐压(Vr):1kV,整流电流:3A,反向电流(Ir):5uA@1kV
VISHAY(威世)
DO-214AB(SMC)
¥0.972
0
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 10 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
LRC(乐山无线电)
SMA-FL
¥0.122
10
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1.1V,直流反向耐压(Vr):600V,整流电流:1A
FOSAN(富信)
¥0.0198
92545
VISHAY(威世)
DO-201AD
¥0.697
8123
二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.2 V @ 3 A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
D1N
¥49.427
7
正向压降(Vf):1.45V@200A,直流反向耐压(Vr):1.6kV,整流电流:60A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):1.8kA
YANGJIE(扬杰)
D1
¥50.659
10
正向压降(Vf):1.3V@200A,直流反向耐压(Vr):1.6kV,整流电流:70A,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):1.4kA
晶导微电子
SMC(DO-214AB)
¥0.165
10
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):1V@10A,直流反向耐压(Vr):400V,整流电流:10A
Nexperia(安世)
SOT-143B
¥0.305
0
二极管配置:2 个独立式,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):200mA(DC),不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 200 mA