onsemi(安森美)
SMA
¥0.6857
4085
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):510 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
DO-27
¥0.62358
145
正向压降(Vf):850mV@5A,直流反向耐压(Vr):300V,整流电流:5A,反向电流(Ir):5uA
华轩阳
TO-277
¥0.631005
50
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):530mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
Nexperia(安世)
SOD-123
¥0.9554
5
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):620 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SOD-323
¥0.8044
150
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 15 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
晶导微电子
TO-220AB
¥0.7175
3000
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):700mV@10A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:20A
YANGJIE(扬杰)
SMC(DO-214AB)
¥0.6631
2530
正向压降(Vf):600mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A,反向电流(Ir):100uA@40V
SMC(桑德斯)
DO-201AD
¥0.7465
3
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SMA(DO-214AC)
¥0.715
41012
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):420 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MSKSEMI(美森科)
TO-252
¥0.709365
1800
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):720mV@10A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:20A
CJ(江苏长电/长晶)
TO-220F
¥1.1
2165
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):860mV@10A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:20A
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.66768
3586
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):90 V,电流 - 平均整流 (Io):1.5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Comchip(典琦)
SMC(DO-214AB)
¥0.83673
245
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不适用于新设计
Nexperia(安世)
CFP-15
¥0.852796
381244
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 8 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
TO-252-2L
¥0.8051
1390
直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:20A,反向电流(Ir):100uA@60V,非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):150A
VISHAY(威世)
DO-221AD
¥1.4
157
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2.7A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 2.5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMC(DO-214AB)
¥0.9771
2765
正向压降(Vf):850mV@8A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:8A,反向电流(Ir):10uA@100V
onsemi(安森美)
SOD-123FL
¥0.9114
5220
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):530 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
TO-220AB
¥0.88101
530
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):870mV@10A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:10A
onsemi(安森美)
SOD-123
¥0.8678
756
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):385 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-214AB(SMC)
¥0.92
7568
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):490 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
PowerDI-123
¥0.86112
5566
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):650 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
ITO-220AB
¥1.02753
285
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):850mV,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:30A
YFW(佑风微)
TO-220F
¥1.1046
125
正向压降(Vf):720mV,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:20A,反向电流(Ir):1uA
Slkor(萨科微)
TO-220F
¥0.9349
234
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):1.14V@30A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:15A
VISHAY(威世)
DO-204AL
¥1.2624
205
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
TO-220
¥1.4
442
正向压降(Vf):800mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A,反向电流(Ir):100uA@100V
DIODES(美台)
DO-201AD
¥1.2566
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):670 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
TO-277
¥1.14
2915
正向压降(Vf):410mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A,反向电流(Ir):220uA@45V
SMC(桑德斯)
TO-220AC-2
¥1.2065
137
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 10 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io),不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 mA @ 100 V
ST(意法半导体)
TO-220AB-3
¥1.28
47093
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):10A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):570 mV @ 10 A
CJ(江苏长电/长晶)
TO-263-2L
¥1.49
575
直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:20A
VISHAY(威世)
DO-214AA(SMB)
¥0.735
753
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
TO-263
¥2.32
64
正向压降(Vf):650mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:20A,反向电流(Ir):200uA@45V
YANGJIE(扬杰)
TO-220
¥1.2078
500
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):20A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 10 A
SMC(桑德斯)
D2PAK
¥1.45
762
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):570mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A
YFW(佑风微)
TO-220F
¥1.68
793
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):870mV@30A,直流反向耐压(Vr):150V,整流电流:30A
Infineon(英飞凌)
SOT-323
¥1.53
7566
二极管类型:肖特基 - 1 对串联,电压 - 峰值反向(最大值):8V,电流 - 最大值:130 mA,不同 Vr、F 时电容:1pF @ 0V,1MHz,不同 If、F 时电阻:10 欧姆 @ 5mA,10kHz
CJ(江苏长电/长晶)
TO-220-3L
¥1.56
239
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):500mV@10A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:20A
VISHAY(威世)
DO-214AB(SMC)
¥1.54
1020
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io):4.9A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):420 mV @ 4 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MCC(美微科)
TO-263
¥1.6728
75
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):900mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:10A
DIODES(美台)
Power-DI-5
¥1.65
9113
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V,电流 - 平均整流 (Io):4A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):840 mV @ 4 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
TO-220AB
¥1.91
543
正向压降(Vf):890mV@20A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:40A,反向电流(Ir):10uA@200V
CJ(江苏长电/长晶)
TO-263-2L
¥1.5731
0
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):520mV@15A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:30A
onsemi(安森美)
TO-252-2(DPAK)
¥1.74896
2524
二极管配置:1 对共阴极,二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 3 A
SMC(桑德斯)
TO-220AC-2
¥2.78
6
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):570 mV @ 20 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io),不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2.7 mA @ 45 V
SMC(桑德斯)
ITO-220AC
¥2.32
0
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 20 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io),不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1 mA @ 100 V
LGE(鲁光)
ITO-220AB
¥2.817
137
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):860mV,直流反向耐压(Vr):250V,整流电流:40A
onsemi(安森美)
DO-27
¥3.07266
2243
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):45 V,电流 - 平均整流 (Io):8A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 8 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
TO-263AB(D2PAK)
¥3.39
1841
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):30A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):910 mV @ 30 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)