PANJIT(强茂)
DO-201AD
¥0.2936
2230
DIODES(美台)
SMA(DO-214AC)
¥0.28
182068
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):410 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
晶导微电子
SMC
¥0.297
183986
正向压降(Vf):750mV@10A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:10A,反向电流(Ir):500uA@60V
MCC(美微科)
DO-214AB(SMC)
¥0.6102
1674
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):750 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.352
7480
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
PANJIT(强茂)
DO-214AA(SMB)
¥0.315
5137
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):740 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SOD-80
¥0.2704
6748
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):200mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):600 mV @ 200 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
晶导微电子
SMBF
¥0.33
78865
正向压降(Vf):450mV@5A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:5A,反向电流(Ir):1mA@45V
PANJIT(强茂)
SOD-123FL
¥0.3781
675
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
DO-214AD
¥0.3422
1835
正向压降(Vf):550mV@5A,直流反向耐压(Vr):20V,整流电流:5A,反向电流(Ir):500uA@20V
晶导微电子
MBS
¥0.352
887
正向压降(Vf):550mV@2A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:2A,反向电流(Ir):500uA@40V
晶导微电子
SMC
¥0.352
82485
正向压降(Vf):550mV@10A,直流反向耐压(Vr):45V,整流电流:10A,反向电流(Ir):500uA@45V
DIODES(美台)
DO-214AC
¥0.407
2115
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ROHM(罗姆)
SOD-123FL
¥0.4188
17506
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):480 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
SOD-323
¥0.4598
415
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):30mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.348036
36847
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):750mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):490 mV @ 750 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
LGE(鲁光)
SMB
¥0.38295
825
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):720mV@5.0A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A
Infineon(英飞凌)
SC-70,SOT-323
¥0.333784
10042
二极管类型:肖特基 - 1 对共阴极,电压 - 峰值反向(最大值):4V,电流 - 最大值:130 mA,不同 Vr、F 时电容:0.75pF @ 0V,1MHz,不同 If、F 时电阻:15 欧姆 @ 5mA,10kHz
VISHAY(威世)
MiniMELF
¥0.2616
3190
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):30mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):390 mV @ 1 mA,速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
晶导微电子
SMA
¥0.3941
225
正向压降(Vf):450mV@5A,直流反向耐压(Vr):40V,整流电流:5A,反向电流(Ir):1mA@40V
不适用于新设计
ROHM(罗姆)
SMA
¥0.4018
16046
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):850 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-882D
¥0.405
1450
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):500mA,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 500 mA,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
CJ(江苏长电/长晶)
SMAG
¥0.4432
1050
正向压降(Vf):600mV@3.0A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:3A,反向电流(Ir):20uA@100V
LRC(乐山无线电)
DO-214AC(SMA)
¥0.2034
6684
正向压降(Vf):870mV@3.0A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:3A,反向电流(Ir):500uA@200V
onsemi(安森美)
SMA-FL
¥0.5187
6945
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):630 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
MSKSEMI(美森科)
SMC
¥0.40068
1045
正向压降(Vf):750mV@10A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:10A,反向电流(Ir):500uA@60V
LGE(鲁光)
DO-27
¥0.424
1250
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
Nexperia(安世)
SOD-128
¥0.429
5100
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):460mV@1A,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:1A
ROHM(罗姆)
SOD-123FL
¥0.4576
32239
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):90 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):730 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
DO-213AB(MELF)
¥0.499
18030
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):40 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):550 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
PowerDI323
¥0.47718
10106
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):420 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
GOODWORK(固得沃克)
TO-277
¥0.495125
4945
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):850mV@10A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
MSKSEMI(美森科)
TO-252
¥0.424065
390
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):920mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:10A
DIODES(美台)
SMB(DO-214AA)
¥0.4795
61339
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMA
¥0.4992
26450
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
VISHAY(威世)
DO-214AC(SMA)
¥0.7483
4525
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):2.1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):910 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
SMC
¥0.41184
620
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):900mV,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:10A
DIODES(美台)
SMB(DO-214AA)
¥0.496
15160
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):50 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
ST(意法半导体)
DO-222AA
¥0.43593
8667
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V,电流 - 平均整流 (Io):1A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):490 mV @ 1 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
DO-27
¥0.5312
0
正向压降(Vf):360mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A,反向电流(Ir):40mA@100V
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.5941
610
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1.7A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
Nexperia(安世)
SOD-128
¥0.509
54295
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):2A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):670 mV @ 2 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YFW(佑风微)
SMBF
¥0.5741
1515
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):500mV,直流反向耐压(Vr):60V,整流电流:5A
LGE(鲁光)
TO-277
¥0.55385
3195
二极管配置:独立式,正向压降(Vf):580mV@5A,直流反向耐压(Vr):100V,整流电流:5A
VISHAY(威世)
SMA(DO-214AC)
¥0.537
19911
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):1.7A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):800 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMC
¥0.57
24322
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
DIODES(美台)
SMB
¥0.58
23283
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):100 V,电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):790 mV @ 3 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
YANGJIE(扬杰)
SMA(DO-214AC)
¥0.5872
0
正向压降(Vf):900mV@5A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:5A,反向电流(Ir):1uA@200V
YANGJIE(扬杰)
DO-27
¥0.36816
2867
二极管类型:肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):60 V,电流 - 平均整流 (Io):5A,不同 If 时电压 - 正向 (Vf):700 mV @ 5 A,速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
SUNMATE(森美特)
TO-220AB
¥0.899745
105
二极管配置:1对共阴极,正向压降(Vf):920mV@10A,直流反向耐压(Vr):200V,整流电流:20A