【观芯云】元器件类别分析(六)存储芯片分析
11/24 2024
【观芯云】元器件类别分析(六)存储芯片分析

11/29 2024

前言


在全球分销市场中,虽然存储占据较大的份额,约有30%,但是在独立分销市场份额较低,因为存储主要应用于消费类产品,而现货贸易市场更多集中于工业类需求,工业类对存储的诉求主要是存储程序代码。
在全球存储市场中,根据IC Insights数据,DRAM(内存)和NAND FLASH(闪存)是主要的两种存储芯片,占据主导地位。其中,2021年DRAM约占56%,NAND FLASH约占 41%。

在独立分销市场中,以NOR FLASH(30%)、EEPROM(也称E2PROM,20%)、DRAM(15%)为主,重要性递减。



1. ROM只读存储器


1.1 NOR FLASH


在全球存储市场中,NOR FLASH可占比1%。
在实际工程项目中,一般用来存储程序。因为主控芯片的内部没有可以存储程序的存储器,掉电之后数据会丢失,所以会外部挂载一个存储器。
虽然NOR FLASH相比NAND FLASH不具有成本优势,但是优秀性能和高可靠性,深受工业类需求喜爱,所以在现货贸易市场有一定份额。
NOR FLASH重点品牌有Winbond华邦电子(中国台湾),其他品牌有MXIC旺宏电子(中国台湾)、GigaDevice兆易创新(中国北京)。
还有Cypress赛普拉斯(美国,被德国Infineon英飞凌收购)、Micron镁光(美国),但它们因NOR FLASH市场份额较小,逐步退出。


1.2 eMMC


简单可理解为emmc=NAND FLASH + 读写控制IC,主要应用于手机等移动设备的存储。重点品牌有SAMSUNG三星、KIOXIA铠侠。


1.3 NAND FLASH(闪存)


NAND FLASH主要应用消费类产品,如硬盘。在独立分销市场份额很小。

重点品牌有Micron镁光(美国)、Winbond华邦电子(中国台湾)、CS创世半导体(中国)、米客方德(中国)。


【科普】


常讲的闪存颗粒是指其生产原料。有TLC(主流)、MLC、SLC,差异在于读写速度、寿命及价格。
SLC = Single-Level Cell ,即1bit/cell,速度快寿命长,价格贵(约MLC 3倍以上的价格),约10万次擦写寿命;
MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,速度一般寿命一般,价格一般,约3000---10000次擦写寿命;

TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell,速度慢寿命短,价格便宜,约500-1000次擦写寿命。


1.4 EEPROM(E2PROM)


在实际工程项目中,一般用来存储程序。
重点品牌有Microchip微芯(美国)、ST意法半导体(瑞士),其他品牌有onsemi安森美(美国)、BL上海贝岭(中国上海)、MAXIM美信(美国,被ADI亚德诺收购)、HGSEMI华冠(中国广东)。

2. RAM随机存储器


2.1 DRAM(内存)


DRAM主要应用于PC、移动设备和服务器。PC和移动设备是消费类产品,量大且是计划性生产;服务器厂家集中在少部分公司,需求量大,倾向于原厂/代理商合作,所以流入独立分销市场份额偏小。
DRAM三大巨头是SUMSUNG三星(韩国)、SK hynix海力士(韩国)、Micron镁光(美国),市场份额接近100%,处于垄断地位。

其他品牌有Nanya南亚科技(中国台湾)、Winbond华邦电子(中国台湾)、ISSI美国芯成(美国)


2.2 FRAM铁电存储器


FRAM最大优势解决了读写次数限制,并且快速写入、低功耗等优势,得到广泛应用。重点品牌有Infineon英飞凌(德国)、FUJITSU富士通(日本)。

2.3 SRAM


相比DRAM,SRAM访问速度更快、稳定性更强。重点品牌有ISSI美国芯成(美国)





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