BZX84C30LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.1118
9,246
稳压二极管
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):30 V,容差:±7%,功率 - 最大值:225 mW,阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms,不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 21 V
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BZX84C30LT1G
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.112

1+:¥0.127

1994

24+
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BZX84C30LT1G
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.11648

1+:¥0.13208

1793

24+
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BZX84C30LT1G
ON(安森美)
SOT-23

30000+:¥0.1232

6000+:¥0.133

3000+:¥0.14

800+:¥0.196

100+:¥0.28

20+:¥0.4557

1794

-
现货
BZX84C30LT1G
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.1232

6000+:¥0.133

3000+:¥0.14

800+:¥0.196

100+:¥0.28

20+:¥0.4557

1794

-
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ON(安森美)
SOT-23

1500+:¥0.1905

230+:¥0.219

1794

-
3天-15天
BZX84C30LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23-3

1000+:¥0.1118

100+:¥0.1167

1+:¥0.1225

77

2422
现货最快4H发
BZX84C30LT1G
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.11648

1500+:¥0.13208

200+:¥0.15184

1+:¥0.23504

6000

--
1-3工作日
BZX84C30LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

33000+:¥0.0703

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BZX84C30LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23(SOT-23-3)

600+:¥0.103

200+:¥0.103

20+:¥0.103

0

19+/20+

价格趋势
规格参数
属性 属性值
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 30 V
容差 ±7%
功率 - 最大值 225 mW
阻抗(最大值)(Zzt) 80 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 50 nA @ 21 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 900 mV @ 10 mA
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3