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BSZ520N15NS3GATMA1
Infineon(英飞凌)
TSDSON-8FL
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：150 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：21A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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BSZ520N15NS3GATMA1
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Infineon(英飞凌)
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PG-TSDSON-8
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5000+:￥3.1408 1+:￥3.2656 |
2069 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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BSZ520N15NS3GATMA1
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Infineon(英飞凌)
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TSDSON-8FL
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100+:￥4.07 30+:￥4.69 10+:￥5.32 1+:￥6.57 |
164 |
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立创商城
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BSZ520N15NS3G
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英飞凌(INFINEON)
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TDSON-8
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50000+:￥4.356 10000+:￥4.7025 5000+:￥4.95 1000+:￥6.93 300+:￥9.9 10+:￥16.1123 |
5000 |
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油柑网
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BSZ520N15NS3GATMA1
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INFINEON
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PG-TSDSON-8
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1+:￥4.9612 |
93 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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BSZ520N15NS3GATMA1
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Infineon(英飞凌)
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TSDSON-8
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5000+:￥3.02 1+:￥3.14 |
3427 |
25+
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圣禾堂
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BSZ520N15NS3GATMA1
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英飞凌(INFINEON)
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TSDSON-8
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50000+:￥3.9776 10000+:￥4.294 5000+:￥4.52 1000+:￥6.328 300+:￥9.04 10+:￥14.012 |
0 |
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油柑网
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BSZ520N15NS3 G
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INFINEON
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PG-TSDSON-8
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1+:￥5.5566 |
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 21A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 8V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 52 毫欧 @ 18A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 35µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 12 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 890 pF @ 75 V |
| 功率耗散（最大值） | 57W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |