BSS84Q-7-F
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.10953
303,695
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):50 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):130mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V
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BSS84Q-7-F
Diodes(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.10953

1000+:¥0.11156

500+:¥0.11359

100+:¥0.11553

10+:¥0.11695

60000

22+
现货
BSS84Q-7-F
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.1155

6000+:¥0.1247

3000+:¥0.1313

800+:¥0.1838

100+:¥0.2626

20+:¥0.4274

230076

-
BSS84Q-7-F
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.12

1+:¥0.136

2909

25+
立即发货
BSS84Q-7-F
Diodes(美台)
SOT-23

3000+:¥0.1248

1+:¥0.14144

2905

25+
1-2工作日发货
BSS84Q-7-F
DIODES(美台)
SOT-23

3000+:¥0.1299

300+:¥0.1483

100+:¥0.1727

10+:¥0.2215

4380

-
立即发货
BSS84Q-7-F
DIODES(美台)
SOT-23

1200+:¥0.1409

300+:¥0.1424

20+:¥0.2126

516

-
立即发货
BSS84Q-7-F
Diodes(达尔)
SOT-23-3

1500+:¥0.204

220+:¥0.234

2909

-
3天-15天
BSS84Q-7-F
Diodes Incorporated
SOT-23-3

200+:¥0.1062

100+:¥0.108

50+:¥0.1098

1+:¥0.1125

388

21+
3-5工作日
BSS84Q-7-F
DIODES INCORPORATED
SOT-23-3

3000+:¥0.1118

300+:¥0.1218

100+:¥0.133

30+:¥0.1464

10+:¥0.1777

1+:¥0.2146

5425

22+
1-3工作日
BSS84Q-7-F
Diodes Incorporated
SOT-23-3

2000+:¥0.1119

500+:¥0.1139

100+:¥0.117

50+:¥0.12

10+:¥0.122

60000

22+
3-4工作日
BSS84Q-7-F
Diodes Incorporated
SOT-23-3

150000+:¥0.1176

30000+:¥0.1187

6000+:¥0.1208

3000+:¥0.125

94015

22+
3-4工作日
BSS84Q-7-F
Diodes(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.1248

1500+:¥0.14144

200+:¥0.16224

1+:¥0.25168

11909

--
1-3工作日
BSS84Q-7-F
Diodes Incorporated
SOT-23-3

15000+:¥0.23

9000+:¥0.236

6000+:¥0.24

3000+:¥0.25

3000

-
3-7工作日
BSS84Q-7-F
DIODES INCORPORATED

1+:¥0.3264

0

-
现货最快4H发

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 130mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 10 欧姆 @ 100mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 0.59 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 45 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 300mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3