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BSS84LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：50 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：130mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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BSS84LT1G
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ON(安森美)
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SOT-23-3（TO-236）
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3000+:￥0.109 1+:￥0.123 |
289974 |
24+
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立即发货
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圣禾堂
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BSS84LT1G
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ON(安森美)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.11336 1+:￥0.12792 |
289970 |
24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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BSS84LT1G
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ON SEMICONDUCTOR
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SOT-23-3
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1+:￥0.1176 |
5539 |
2336
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现货最快4H发
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京北通宇
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BSS84LT1G
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ON(安森美)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.11847 1000+:￥0.12067 500+:￥0.12287 100+:￥0.12496 10+:￥0.1265 |
233248 |
25+
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现货
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硬之城
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BSS84LT1G
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ON(安森美)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.12009 |
87246 |
24+25+
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1-3工作日发货
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硬之城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 50 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 130mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10 欧姆 @ 100mA，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 30 pF @ 5 V |
| 功率耗散（最大值） | 225mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |