BSS84-7-F
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.09693
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场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):50 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):130mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V
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Diodes(美台)
SOT-23

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100+:¥0.10224

10+:¥0.1035

1442

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100+:¥0.225

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规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 130mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 10 欧姆 @ 100mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 45 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 300mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3