BSS83PH6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
SOT-23
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场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):330mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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BSS83PH6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
SOT-23-3

3000+:¥0.24

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6000+:¥0.2511

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50+:¥0.394

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30000+:¥0.264

6000+:¥0.285

3000+:¥0.3

800+:¥0.42

100+:¥0.6

20+:¥0.9766

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1000+:¥0.3559

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1+:¥0.4577

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30000+:¥0.374

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6000

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30000+:¥0.44

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3000+:¥0.5

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1+:¥0.4687

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3000+:¥0.27664

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1+:¥0.55432

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3000+:¥0.3328

1500+:¥0.35609

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10+:¥0.5625

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1+:¥0.6204

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 330mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2 欧姆 @ 330mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 80µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 3.57 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 78 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 360mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3