BSS138PW,115
Nexperia(安世)
SOT-323
¥0.092
785,742
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):320mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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BSS138PW,115
Nexperia(安世)
SOT-323

3000+:¥0.092

1+:¥0.116

183686

25+
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BSS138PW,115
Nexperia(安世)
SC-70

3000+:¥0.09367

74398

24+
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BSS138PW,115
Nexperia(安世)
SOT-323

21000+:¥0.0952

9000+:¥0.1027

3000+:¥0.1166

600+:¥0.136

200+:¥0.1627

20+:¥0.2107

15000

-
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BSS138PW,115
Nexperia(安世)
SC-70

3000+:¥0.09568

1+:¥0.12064

183681

25+
1-2工作日发货
BSS138PW,115
安世(Nexperia)
SC-70(SOT-323)

30000+:¥0.099

6000+:¥0.1069

3000+:¥0.1125

800+:¥0.1575

100+:¥0.225

20+:¥0.3488

1299

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 320mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.6 欧姆 @ 300mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 0.8 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 50 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 260mW(Ta),830mW(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TA)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SC-70,SOT-323