BSS138P,215
Nexperia(安世)
SOT-23
¥0.0691
597,235
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):60 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):360mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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BSS138P,215
Nexperia(安世)
SOT-23

21000+:¥0.0691

9000+:¥0.0741

3000+:¥0.0835

600+:¥0.0943

200+:¥0.1122

20+:¥0.1446

66480

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Nexperia(安世)
SOT-23

3000+:¥0.071

1+:¥0.0895

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Nexperia(安世)
SOT-23

3000+:¥0.07384

1+:¥0.09308

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25+
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BSS138P,215
安世(Nexperia)
SOT-23

30000+:¥0.0781

6000+:¥0.0844

3000+:¥0.0888

800+:¥0.1243

100+:¥0.1776

20+:¥0.2753

102626

-
BSS138P,215
Nexperia(安世)
SOT-23

2000+:¥0.0843

1000+:¥0.0881

500+:¥0.0935

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20+:¥0.1164

5+:¥0.1279

2965

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 360mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.6 欧姆 @ 300mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 0.8 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 50 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 350mW(Ta),1.14W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TA)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3