BSS138NH6327
Infineon(英飞凌)
SOT-23
¥0.1755
49,498
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,连续漏极电流(Id):230mA,导通电阻(RDS(on)):3.5Ω@10V,230mA
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BSS138NH6327
Infineon(英飞凌)
SOT-23

9000+:¥0.1755

6000+:¥0.1873

3000+:¥0.211

300+:¥0.2893

100+:¥0.3287

10+:¥0.4074

42730

-
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BSS138NH6327
Infineon(英飞凌)
SOT-23

3000+:¥0.1983

1200+:¥0.2692

600+:¥0.2719

100+:¥0.309

10+:¥0.383

2134

-
立即发货
BSS138NH6327
英飞凌(INFINEON)
SOT-23

30000+:¥0.218

6000+:¥0.2355

3000+:¥0.2479

800+:¥0.348

100+:¥0.3518

20+:¥0.4422

2134

-
BSS138NH6327
Infineon(英飞凌)
SOT-23

3000+:¥0.33

500+:¥0.44

50+:¥0.72

5+:¥0.87

2500

22+/23+
BSS138NH6327
Infineon Technologies/IR
SOT-23-3

1000+:¥0.162

500+:¥0.1652

200+:¥0.1732

100+:¥0.1831

27000

23+
3-5工作日
BSS138NH6327
Infineon Technologies/IR
SOT-23-3

3000+:¥0.1701

300+:¥0.1837

100+:¥0.2007

30+:¥0.2467

10+:¥0.3096

1+:¥0.3147

42123

23+
1-3工作日
BSS138NH6327
Infineon Technologies/IR
SOT-23-3

1000+:¥0.1835

200+:¥0.1902

20+:¥0.203

220000

23+
4-7工作日
BSS138NH6327
Infineon Technologies/IR
SOT-23-3

150000+:¥0.1898

30000+:¥0.1915

6000+:¥0.1949

3000+:¥0.2017

90000

24+
3-4工作日
BSS138NH6327
Infineon Technologies/IR
SOT-23-3

30+:¥0.1938

20+:¥0.2006

10+:¥0.2074

60000

-
3-5工作日
BSS138NH6327
Infineon Technologies/IR
SOT-23-3

15000+:¥0.1949

9000+:¥0.2

6000+:¥0.2034

3000+:¥0.2119

969000

-
5-7工作日
BSS138NH6327
Infineon Technologies
SOT-23-3

100+:¥0.2955

10+:¥0.3732

143

2327+
1工作日
BSS138NH6327
Infineon Technologies/IR
SOT-23-3

6000+:¥1.15

3000+:¥1.18

500+:¥1.2

10+:¥1.25

49450

-
3-5工作日
BSS138NH6327
Infineon(英飞凌)
PG-SOT23-3

3000+:¥0.22

1+:¥0.249

0

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立即发货
BSS138NH6327
INFINEON
SOT-23

1+:¥1.078

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规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 230mA
导通电阻(RDS(on)) 3.5Ω@10V,230mA