BSS138LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23
¥0.088
878,229
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):50 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V
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BSS138LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3(TO-236)

3000+:¥0.088

1+:¥0.111

148222

25+
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BSS138LT1G
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.09152

1+:¥0.11544

148184

25+
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BSS138LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23

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144820

-
立即发货
BSS138LT1G
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.09727

1140

23+24+
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BSS138LT1G
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.10231

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274422

25+
现货
BSS138LT1G
安森美(onsemi)
SOT-23

30000+:¥0.1028

6000+:¥0.111

3000+:¥0.1168

800+:¥0.1635

200+:¥0.2336

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3425

-
BSS138LT1G
ON(安森美)
SOT-23

2000+:¥0.1039

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500+:¥0.1157

100+:¥0.1303

20+:¥0.1451

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5772

-
立即发货
BSS138LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23-3

1+:¥0.1147

468

2427
现货最快4H发
BSS138LT1G
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.132

1500+:¥0.1665

200+:¥0.2655

90+:¥0.5852

148222

-
3天-15天
BSS138LT1G
onsemi(安森美)
SOT23

3000+:¥0.152

300+:¥0.185

100+:¥0.214

10+:¥0.288

3554

23+
BSS138LT1G
ON Semiconductor
SOT-23-3,TO-236

21000+:¥0.096

9000+:¥0.1

3000+:¥0.107

500+:¥0.13

200+:¥0.15

20+:¥0.2

350913

2512+
1工作日
BSS138LT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

24000+:¥0.1073

12000+:¥0.1092

6000+:¥0.1129

3000+:¥0.1156

90000

25+
3-6工作日
BSS138LT1G
ON(安森美)
SOT-23

3000+:¥0.11128

1500+:¥0.12584

200+:¥0.14456

1+:¥0.22464

205737

--
1-3工作日
BSS138LT1G
ON(安森美)
SOT-23-3,TO-236

60000+:¥0.1155

45000+:¥0.1166

3000+:¥0.1177

1500+:¥0.1331

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1+:¥0.2376

209395

25+
2-4工作日
BSS138LT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

30000+:¥0.1265

3000+:¥0.1357

1000+:¥0.198

100+:¥0.275

277981

25+
3-5工作日
BSS138LT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

24000+:¥0.1298

6000+:¥0.132

3000+:¥0.1342

1+:¥0.1375

303624

25+
3-5工作日
BSS138LT1G
ON SEMICONDUCTOR
SOT-23-3,TO-236

3000+:¥0.1304

300+:¥0.1422

100+:¥0.1552

30+:¥0.1709

10+:¥0.2074

1+:¥0.2504

4711

24+
1工作日
BSS138LT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

100+:¥0.1428

10+:¥0.17

541

-
5-10工作日
BSS138LT1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-23-3,TO-236

24000+:¥0.1516

12000+:¥0.1543

6000+:¥0.1569

3000+:¥0.1596

792000

-
3-7工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 200mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3.5 欧姆 @ 200mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 50 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 225mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3