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BSS138-TP
MCC(美微科)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：50 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：220mA（Tj），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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BSS138-TP
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MCC
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1+:￥0.0588 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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BSS138-TP
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MCC(美微科)
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SOT-23
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3000+:￥0.0608 1+:￥0.0766 |
5925 |
25+
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圣禾堂
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BSS138-TP
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MCC(美微科)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.06323 1+:￥0.07966 |
5918 |
25+
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硬之城
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BSS138-TP
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美微科(MCC)
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SOT-23
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30000+:￥0.0668 6000+:￥0.0722 3000+:￥0.076 800+:￥0.1064 100+:￥0.152 20+:￥0.2474 |
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油柑网
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BSS138-TP
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MCC(美微科)
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SOT-23
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5000+:￥0.0678 1000+:￥0.0739 150+:￥0.0893 50+:￥0.1047 |
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 50 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 220mA（Tj） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.5 欧姆 @ 220mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 60 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 350mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |