BSS138-7-F
DIODES(美台)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
¥0.0746
3,188,394
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):50 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
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BSS138-7-F
DIODES(美台)
SOT-23

21000+:¥0.0746

9000+:¥0.0802

3000+:¥0.0908

600+:¥0.1037

200+:¥0.124

20+:¥0.1606

268400

-
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BSS138-7-F
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.075

1+:¥0.0945

953634

25+
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BSS138-7-F
Diodes(美台)
SOT-23-3

3000+:¥0.078

1+:¥0.09828

953626

25+
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BSS138-7-F
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.0825

6000+:¥0.0891

3000+:¥0.0938

800+:¥0.1313

100+:¥0.1876

20+:¥0.2908

478

-
BSS138-7-F
DIODES INCORPORATED
SOT-23

1000+:¥0.0833

100+:¥0.0892

1+:¥0.098

2043

2523
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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 200mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 3.5 欧姆 @ 220mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 50 pF @ 10 V
功率耗散(最大值) 300mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3