BSS138
UMW(友台半导体)
SOT-23
¥0.0448
17,475
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):50V,连续漏极电流(Id):300mA,导通电阻(RDS(on)):2.5Ω@10V;3.5Ω@2.5V
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BSS138
UMW(友台半导体)
SOT-23

51000+:¥0.0448

24000+:¥0.0489

6000+:¥0.0564

3000+:¥0.065

500+:¥0.0819

50+:¥0.1079

4150

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BSS138
UMW(广东友台半导体)
SOT-23

3000+:¥0.04524

1+:¥0.05699

5320

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BSS138
UMW(友台)
SOT-23

3000+:¥0.0598

1200+:¥0.0746

600+:¥0.0754

50+:¥0.0993

1950

-
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UMW BSS138
UMW(友台)
SOT-23

50000+:¥0.068

30000+:¥0.0699

10000+:¥0.0731

5000+:¥0.0762

500+:¥0.0825

50+:¥0.092

359

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BSS138
UMW(友台)
SOT-23

3000+:¥0.0783

1500+:¥0.0822

380+:¥0.1316

5327

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BSS138
UMW
SOT-23

1+:¥0.1715

369

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BSS138
UMW/友台半导体
SOT-23

3000+:¥0.0379

1000+:¥0.0404

500+:¥0.0439

100+:¥0.0474

50+:¥0.0544

1+:¥0.0579

74

2325+
1工作日
BSS138
UMW/友台半导体
SOT-23

51000+:¥0.0447

24000+:¥0.0485

6000+:¥0.055

3000+:¥0.058

500+:¥0.071

50+:¥0.083

20299

2425+
1工作日
BSS138
UMW/友台半导体
SOT-23

51000+:¥0.046

6000+:¥0.0468

3000+:¥0.0476

180000

24+
5-9工作日
BSS138
UMW/友台半导体
SOT-23

3000+:¥0.0379

1000+:¥0.0386

500+:¥0.0404

100+:¥0.0474

50+:¥0.0544

1+:¥0.0579

9

2325+
1工作日
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SOT-23

3000+:¥0.0564

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规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 50V
连续漏极电流(Id) 300mA
导通电阻(RDS(on)) 2.5Ω@10V;3.5Ω@2.5V