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BSS127H6327XTSA2
Infineon(英飞凌)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：600 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：21mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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封装
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价格(含税)
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BSS127H6327XTSA2
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.289 1+:￥0.328 |
36070 |
23+
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圣禾堂
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Infineon(英飞凌)
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PG-SOT-23-3
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3000+:￥0.30056 1+:￥0.34112 |
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23+
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硬之城
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英飞凌(INFINEON)
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30000+:￥0.3179 6000+:￥0.3432 3000+:￥0.3613 800+:￥0.5058 100+:￥0.7226 20+:￥1.176 |
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油柑网
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23
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500+:￥0.4365 150+:￥0.4869 50+:￥0.5542 5+:￥0.6886 |
2775 |
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INFINEON
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SOT-23
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1+:￥0.5586 |
935 |
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 21mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 500 欧姆 @ 16mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.6V @ 8µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 1 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 28 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |