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BSS126H6327
Infineon(英飞凌)
SOT-23-3
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：600V，连续漏极电流(Id)：21mA，导通电阻(RDS(on))：700Ω@10V,16mA
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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BSS126H6327
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23-3
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6000+:￥0.5165 3000+:￥0.5474 500+:￥0.6845 150+:￥0.8001 50+:￥0.8927 5+:￥1.1089 |
550 |
-
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立即发货
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立创商城
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BSS126H6327
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英飞凌(INFINEON)
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SOT-23-3
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15000+:￥0.5982 3000+:￥0.6647 1500+:￥0.9173 |
9000 |
-
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油柑网
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BSS126H6327
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Infineon(英飞凌)
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PG-SOT23-3
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100+:￥0.684 30+:￥0.8 10+:￥0.893 1+:￥1.109 |
425 |
20+/21+
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在芯间
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BSS126H6327
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Infineon Technologies/IR
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SOT
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1000+:￥0.5928 200+:￥0.616 20+:￥0.6584 |
12000 |
22+
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4-7工作日
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云汉芯城
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BSS126H6327
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INFINEON TECHNOLOGIES
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SOT
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500+:￥0.6504 150+:￥0.7621 50+:￥0.8632 5+:￥1.1072 |
1439 |
23+
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1工作日
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云汉芯城
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BSS126H6327
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Infineon Technologies/IR
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SOT
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30000+:￥0.6693 15000+:￥0.6868 9000+:￥0.71 3000+:￥0.7275 |
9000 |
-
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3-5工作日
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云汉芯城
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BSS126H6327
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Infineon Technologies/IR
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SOT
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800+:￥0.6837 500+:￥0.7472 300+:￥0.7933 |
60000 |
22+
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3-5工作日
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云汉芯城
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BSS126H6327
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Infineon Technologies/IR
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SOT
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5+:￥1.082 |
22 |
22+
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1工作日
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云汉芯城
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BSS126H6327
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Infineon(英飞凌)
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PG-SOT23-3
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3000+:￥0.814 1+:￥0.859 |
0 |
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立即发货
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圣禾堂
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 600V |
| 连续漏极电流(Id) | 21mA |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700Ω@10V,16mA |