BSS123WQ-7-F
DIODES(美台)
SC-70,SOT-323
¥0.26
23,632
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):100 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):170mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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BSS123WQ-7-F
DIODES(美台)
SOT323

3000+:¥0.26

1+:¥0.294

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Diodes(美台)
SOT-323-3

3000+:¥0.2704

1+:¥0.30576

5374

25+
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BSS123WQ-7-F
美台(DIODES)
SOT-323-3

30000+:¥0.286

6000+:¥0.3088

3000+:¥0.325

800+:¥0.455

100+:¥0.65

20+:¥1.0579

5379

-
BSS123WQ-7-F
DIODES(美台)
SOT-323

500+:¥0.3259

150+:¥0.3716

50+:¥0.4325

5+:¥0.5545

1935

-
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Diodes(达尔)
SOT-323

3000+:¥0.338

1500+:¥0.3822

200+:¥0.4394

90+:¥0.5753

5379

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3天-15天
BSS123WQ-7-F
DIODES INCORPORATED
SOT-323

1+:¥0.6109

186

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BSS123WQ-7-F
Diodes(美台)
SOT-323-3

3000+:¥0.2704

1500+:¥0.30576

200+:¥0.35152

1+:¥0.54392

5889

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1-3工作日
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DIODES(美台)
SOT-323

3000+:¥0.2886

1500+:¥0.3263

200+:¥0.3752

1+:¥0.5805

5889

25+
2-4工作日
BSS123WQ-7-F
Diodes Incorporated
SOT-323

24000+:¥0.3016

12000+:¥0.3095

6000+:¥0.3148

3000+:¥0.341

3000

-
5-7工作日
BSS123WQ-7-F
DIODES
SOT-323

1000+:¥0.3176

500+:¥0.3301

100+:¥0.3643

10+:¥0.4315

1+:¥0.526

71

2440+
1工作日
BSS123WQ-7-F
DIODES(美台)
SOT-323

3000+:¥0.23

1500+:¥0.24

600+:¥0.256

200+:¥0.276

50+:¥0.296

10+:¥0.32

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BSS123WQ-7-F
DIODES(美台)
SOT-323(SC-70)

100+:¥0.29

30+:¥0.29

10+:¥0.29

5+:¥0.29

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20+/21+

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 170mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 6 欧姆 @ 170mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 60 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 200mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SC-70,SOT-323