BSS123Q-7
DIODES(美台)
SOT-23
¥0.1399
52,475
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):100 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):170mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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价格(含税)
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BSS123Q-7
DIODES(美台)
SOT-23

6000+:¥0.1399

3000+:¥0.1575

300+:¥0.1795

100+:¥0.2087

10+:¥0.2673

7300

-
立即发货
BSS123Q-7
DIODES(美台)
SOT23

3000+:¥0.151

1+:¥0.171

11295

24+
立即发货
BSS123Q-7
Diodes(美台)
SOT-23

3000+:¥0.15704

1+:¥0.17784

11290

24+
1-2工作日发货
BSS123Q-7
美台(DIODES)
SOT-23

30000+:¥0.1683

6000+:¥0.1817

3000+:¥0.1913

800+:¥0.2678

100+:¥0.3826

20+:¥0.6228

11295

-
BSS123Q-7
Diodes(达尔)

3000+:¥0.2295

1500+:¥0.2595

200+:¥0.2985

130+:¥0.4004

11295

-
3天-15天
BSS123Q-7
Diodes(美台)
SOT-23

3000+:¥0.1612

1500+:¥0.182

200+:¥0.20904

1+:¥0.32448

11485

--
1-3工作日
BSS123Q-7
DIODES(美台)
SOT-23-3

60000+:¥0.1676

45000+:¥0.1709

3000+:¥0.1721

1500+:¥0.1943

200+:¥0.2231

1+:¥0.3463

11485

24+
2-4工作日
BSS123Q-7
Diodes Incorporated
SOT-23-3

30000+:¥0.1808

18000+:¥0.184

12000+:¥0.1888

6000+:¥0.2

6000

24+
5-10工作日
BSS123Q-7
Diodes Incorporated
SOT-23-3

15000+:¥0.1904

10000+:¥0.1921

6000+:¥0.1955

2500+:¥0.2023

6000

-
3-5工作日
BSS123Q-7
Diodes Incorporated
SOT-23-3

150+:¥0.1923

100+:¥0.1968

50+:¥0.203

1+:¥0.2125

598

-
3-6工作日
BSS123Q-7
DIODES
SOT-23-3

9000+:¥0.1923

3000+:¥0.2097

500+:¥0.224

100+:¥0.2616

10+:¥0.2737

1+:¥0.32

41344

2439+
1工作日

价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 170mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 6 欧姆 @ 170mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 60 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 300mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3