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BSS123NH6433XTMA1
Infineon(英飞凌)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：190mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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BSS123NH6433XTMA1
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23
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10000+:￥0.266 1+:￥0.289 |
7648 |
25+
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圣禾堂
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BSS123NH6433XTMA1
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23
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10000+:￥0.27664 1+:￥0.30056 |
7646 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23
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150+:￥0.4816 50+:￥0.5505 5+:￥0.6881 |
175 |
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立即发货
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立创商城
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BSS123NH6433XTMA1
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Infineon(英飞凌)
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SOT-23-3
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540000+:￥0.2923 60000+:￥0.2946 10000+:￥0.2979 5000+:￥0.3237 2500+:￥0.3472 500+:￥0.373 100+:￥0.411 1+:￥0.5958 |
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25+
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2-4工作日
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云汉芯城
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Infineon Technologies/IR
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SOT-23-3
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400+:￥0.6325 240+:￥0.6962 80+:￥0.768 |
12464 |
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14-18工作日
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云汉芯城
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INFINEON
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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1+:￥0.4214 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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英飞凌(INFINEON)
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SOT-23
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2500+:￥0.5908 500+:￥0.6794 150+:￥0.8271 50+:￥1.0044 5+:￥1.1816 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 190mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6 欧姆 @ 190mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.8V @ 13µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 0.9 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 20.9 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |