BSR92PH6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
SC-59-3
¥0.67
628
场效应管(MOSFET)
FET 类型:P 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):250 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):140mA(Ta),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V,10V
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BSR92PH6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
SC59-3

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BSR92PH6327XTSA1
Infineon(英飞凌)
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BSR92PH6327XTSA1
英飞凌(INFINEON)
SC-59-3

30000+:¥0.7369

6000+:¥0.7956

3000+:¥0.8375

800+:¥1.1725

100+:¥1.675

20+:¥2.7261

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Infineon(英飞凌)
PG-SC-59-3

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1500+:¥0.75088

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BSR92PH6327XTSA1
INFINEON
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Infineon(英飞凌)
SC59

1+:¥2.8853

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 140mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.8V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 11 欧姆 @ 140mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 130µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 4.8 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 109 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 500mW(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3