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BSP149H6327
Infineon(英飞凌)
SOT-223
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：200V，连续漏极电流(Id)：660mA，导通电阻(RDS(on))：1.8Ω@10V,660mA
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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BSP149H6327
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Infineon(英飞凌)
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SOT-223
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100+:￥2.86 30+:￥3.35 10+:￥3.84 1+:￥4.82 |
139 |
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立即发货
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立创商城
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BSP149H6327
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INFINEON
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1+:￥3.724 |
37 |
2053
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现货最快4H发
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京北通宇
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 200V |
| 连续漏极电流(Id) | 660mA |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8Ω@10V,660mA |