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BSH201,215
Nexperia(安世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：300mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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BSH201,215
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Nexperia(安世)
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TO-236AB
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3000+:￥0.40401 |
45920 |
23+
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1-3工作日发货
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硬之城
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BSH201,215
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Nexperia(安世)
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SOT-23
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6000+:￥0.4101 3000+:￥0.4377 500+:￥0.7377 150+:￥0.8067 50+:￥0.8986 5+:￥1.0826 |
2570 |
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立即发货
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立创商城
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BSH201,215
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安世(Nexperia)
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SOT-23
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30000+:￥0.4188 6000+:￥0.4521 3000+:￥0.4759 800+:￥0.6663 200+:￥0.9518 10+:￥1.5491 |
2679 |
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油柑网
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BSH201,215
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NEXPERIA
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SOT-23
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1500+:￥0.4479 200+:￥0.493 100+:￥0.6023 1+:￥0.6504 |
3427 |
2301
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现货最快4H发
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京北通宇
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BSH201,215
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Nexperia(安世)
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SOT-23
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100+:￥0.752 30+:￥0.844 10+:￥0.935 1+:￥1.118 |
4895 |
20+/21+
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在芯间
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MOS场效应管 BSH201,215 SOT-23(BSH201,215)
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Nexperia(安世)
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SOT-23
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3000+:￥0.821 1000+:￥1.067 20+:￥1.231 1+:￥2.051 |
4758 |
20+/21+
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在芯间
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BSH201,215
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nexperia
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TO-236AB
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24000+:￥0.4287 12000+:￥0.4361 6000+:￥0.4435 3000+:￥0.4509 |
18000 |
23+
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3-5工作日
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云汉芯城
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BSH201,215
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Nexperia(安世)
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TO-236AB
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1500+:￥0.6038 200+:￥0.6693 |
4029 |
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6-8工作日
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云汉芯城
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BSH201,215
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nexperia
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TO-236AB
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500+:￥1.0925 100+:￥1.2036 50+:￥1.332 |
28957 |
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14-18工作日
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云汉芯城
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BSH201,215
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nexperia
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TO-236AB
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1500+:￥1.5269 760+:￥1.574 |
5660 |
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10-15工作日
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云汉芯城
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BSH201,215
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Nexperia(安世)
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TO-236AB
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3000+:￥0.4 1+:￥0.428 |
0 |
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立即发货
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圣禾堂
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BSH201,215
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Nexperia(安世)
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SOT23
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3000+:￥0.4992 1500+:￥0.5741 1000+:￥0.7004 560+:￥0.8964 |
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唯样商城
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BSH201,215
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Nexperia(安世)
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SOT-23
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5000+:￥0.5707 2000+:￥0.586 500+:￥0.6115 300+:￥0.6625 100+:￥0.7134 1+:￥0.7644 |
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华秋商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 300mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.5 欧姆 @ 160mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA（最小） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 3 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 70 pF @ 48 V |
| 功率耗散（最大值） | 417mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |