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BSH111BKR
Nexperia(安世)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：55 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：210mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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BSH111BKR
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NEXPERIA
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SOT23
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3000+:￥0.1805 1000+:￥0.1843 500+:￥0.1922 100+:￥0.194 1+:￥0.2037 |
109013 |
2039
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现货最快4H发
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京北通宇
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BSH111BKR
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Nexperia(安世)
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TO-236AB
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3000+:￥0.22 1+:￥0.249 |
2497 |
24+
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圣禾堂
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BSH111BKR
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Nexperia(安世)
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SOT-23
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6000+:￥0.2277 3000+:￥0.2425 500+:￥0.2824 150+:￥0.3228 50+:￥0.3728 5+:￥0.4728 |
3055 |
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立即发货
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立创商城
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BSH111BKR
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Nexperia(安世)
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SOT-23
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3000+:￥0.228 1200+:￥0.2628 600+:￥0.2655 100+:￥0.3504 10+:￥0.4444 |
2876 |
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立即发货
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华秋商城
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BSH111BKR
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Nexperia(安世)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.2288 1+:￥0.25896 |
1275 |
24+
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1-2工作日发货
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硬之城
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BSH111BKR
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Nexperia(安世)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.24486 |
36000 |
24+
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1-3工作日发货
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硬之城
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BSH111BKR
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Nexperia(安世)
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SOT23
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200+:￥0.3718 90+:￥0.5772 |
1278 |
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3天-15天
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唯样商城
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BSH111BKR
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Nexperia(安世)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.2288 1500+:￥0.25896 200+:￥0.29744 1+:￥0.46176 |
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1-3工作日
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硬之城
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BSH111BKR
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安世(Nexperia)
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SOT-23
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30000+:￥0.2538 6000+:￥0.274 3000+:￥0.2884 800+:￥0.4038 100+:￥0.5768 20+:￥0.9387 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 210mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4 欧姆 @ 200mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 0.5 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 30 pF @ 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 302mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |