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BSC160N10NS3GATMA1
Infineon(英飞凌)
TDSON-8(5x6)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：100 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8.8A（Ta），42A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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BSC160N10NS3 G
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Infineon(英飞凌)
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PG-TDSON-8
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5000+:￥2.5 1+:￥2.61 |
2394 |
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圣禾堂
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BSC160N10NS3G
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8(5x6)
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1000+:￥2.58 500+:￥2.74 100+:￥3.39 30+:￥3.89 10+:￥4.4 1+:￥5.41 |
2740 |
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立创商城
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BSC160N10NS3 G
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8
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5000+:￥2.6 1+:￥2.7144 |
2389 |
25+
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硬之城
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BSC160N10NS3 G
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英飞凌(INFINEON)
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PG-TDSON-8
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50000+:￥2.75 10000+:￥2.9688 5000+:￥3.125 1000+:￥4.375 300+:￥6.25 10+:￥10.1719 |
2394 |
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油柑网
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英飞凌(INFINEON)
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TDSON-8(6x5)
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50000+:￥3.234 10000+:￥3.4913 5000+:￥3.675 1000+:￥5.145 300+:￥7.35 10+:￥11.9621 |
10000 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.8A（Ta），42A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 16 毫欧 @ 33A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 33µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 25 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1700 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值） | 60W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |