咨询/建议
BSC123N08NS3G
Infineon(英飞凌)
TDSON-8(5x6)
场效应管(MOSFET)
数量：1个N沟道，漏源电压(Vdss)：80V，连续漏极电流(Id)：55A，导通电阻(RDS(on))：12.3mΩ@10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
BSC123N08NS3G
|
Infineon(英飞凌)
|
PG-TDSON-8
|
5000+:￥1.82 1+:￥1.92 |
15114 |
25+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
BSC123N08NS3G
|
Infineon(英飞凌)
|
TDSON8_5.35X6.1MM
|
100+:￥1.854 30+:￥1.962 10+:￥1.998 1+:￥2.178 |
167 |
-
|
立即发货
|
华秋商城
|
|
BSC123N08NS3G
|
Infineon(英飞凌)
|
TDSON8
|
1000+:￥1.87 100+:￥2.15 20+:￥2.53 1+:￥3.54 |
5000 |
23+
|
在芯间
|
|
|
BSC123N08NS3G
|
Infineon(英飞凌)
|
PG-TDSON-8
|
5000+:￥1.8928 1+:￥1.9968 |
15070 |
25+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
BSC123N08NS3G
|
Infineon(英飞凌)
|
TDSON-8(5x6)
|
1000+:￥1.9 500+:￥2.02 100+:￥2.24 30+:￥2.6 10+:￥2.97 1+:￥3.7 |
3849 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 80V |
| 连续漏极电流(Id) | 55A |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.3mΩ@10V |