BSC066N06NS
Infineon(英飞凌)
TDSON-8(5x6)
¥2.55
30,133
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,连续漏极电流(Id):64A,导通电阻(RDS(on)):6.6mΩ@10V,50A
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BSC066N06NS
英飞凌(INFINEON)
TDSON-8-EP(6x5)

50000+:¥1.155

10000+:¥1.2469

5000+:¥1.3125

1000+:¥1.8375

300+:¥2.625

10+:¥4.2722

3000

-
BSC066N06NS
Infineon(英飞凌)
TDSON-8-EP(5x6)

5000+:¥2.55

1+:¥2.66

13765

25+
立即发货
BSC066N06NS
Infineon(英飞凌)
PG-TDSON-8

5000+:¥2.652

1+:¥2.7664

12553

25+
1-2工作日发货
BSC066N06NS
Infineon(英飞凌)
PG-TDSON8_5.35X6.1MM

1000+:¥3.08

10+:¥4.4

1+:¥4.687

809

-
立即发货
BSC066N06NS
Infineon Technologies/IR
TDSON-8

5000+:¥2.0296

1000+:¥2.064

200+:¥2.1156

10+:¥2.15

3000

18+
5-7工作日

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 64A
导通电阻(RDS(on)) 6.6mΩ@10V,50A