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BSC059N04LSGATMA1
Infineon(英飞凌)
TDSON-8(5x6)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：40 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：16A（Ta），73A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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BSC059N04LSG
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Infineon(英飞凌)
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未知
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5000+:￥1.76 1+:￥1.85 |
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圣禾堂
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Infineon(英飞凌)
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PG-TDSON-8
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5000+:￥1.8304 1+:￥1.924 |
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25+
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硬之城
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BSC059N04LSG
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8(5x6)
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100+:￥1.9 30+:￥2.25 10+:￥2.53 1+:￥3.18 |
119 |
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立创商城
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BSC059N04LSG
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英飞凌(INFINEON)
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TDSON-8(6x5)
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50000+:￥2.486 10000+:￥2.6838 5000+:￥2.825 1000+:￥3.955 300+:￥5.65 10+:￥9.1954 |
5000 |
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油柑网
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8
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500+:￥4.16 100+:￥4.31 20+:￥5.33 1+:￥6.93 |
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21+
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在芯间
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 16A（Ta），73A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.9 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 23µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 40 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3200 pF @ 20 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），50W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |