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BSC057N08NS3GATMA1
Infineon(英飞凌)
TDSON-8(5x6)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：80 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：16A（Ta），100A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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BSC057N08NS3G
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INFINEON
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1+:￥1.96 |
241 |
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现货最快4H发
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京北通宇
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BSC057N08NS3G
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Infineon(英飞凌)
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PG-TDSON-8
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5000+:￥2.028 1+:￥2.1424 |
17921 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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BSC057N08NS3G
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Infineon(英飞凌)
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PG-TDSON-8
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5000+:￥2.05 1+:￥2.14 |
18416 |
25+
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立即发货
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圣禾堂
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BSC057N08NS3G
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8(5x6)
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1000+:￥2.19 500+:￥2.32 100+:￥2.9 30+:￥3.32 10+:￥3.75 1+:￥4.61 |
8160 |
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立即发货
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立创商城
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BSC057N08NS3G
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8
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100+:￥2.3 30+:￥2.42 10+:￥2.46 1+:￥2.66 |
300 |
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立即发货
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华秋商城
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BSC057N08NS3G
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英飞凌(INFINEON)
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TDSON-8
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50000+:￥2.805 10000+:￥3.0281 5000+:￥3.1875 1000+:￥4.4625 300+:￥6.375 10+:￥10.3753 |
20380 |
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油柑网
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BSC057N08NS3G
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Infineon(英飞凌)
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TDSON-8
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500+:￥3.03 100+:￥3.76 20+:￥4.28 1+:￥5.99 |
5000 |
22+/23+
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在芯间
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BSC057N08NS3G
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Infineon(英飞凌)
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PG-TDSON-8
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5000+:￥2.132 2500+:￥2.2256 1250+:￥2.34 100+:￥2.5272 1+:￥3.016 |
18416 |
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1-3工作日
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硬之城
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BSC057N08NS3GATMA1
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Infineon(英飞凌)
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PG-TDSON-8
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5000+:￥4.52 1+:￥4.7 |
0 |
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圣禾堂
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 80 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 16A（Ta），100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.7 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 73µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 56 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3900 pF @ 40 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），114W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |