BSC027N04LSG
Infineon(英飞凌)
TDSON-8(5x6)
¥1.768
30,940
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):40V,连续漏极电流(Id):100A,导通电阻(RDS(on)):2.7mΩ@10V,50A
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BSC027N04LSG
Infineon(英飞凌)
TDSON-8-EP(5x6)

5000+:¥1.768

1+:¥1.8616

494

21+
1-2工作日发货
BSC027N04LSG
Infineon(英飞凌)
TDSON-8(5x6)

100+:¥1.84

30+:¥2.21

10+:¥2.51

1+:¥3.21

440

-
立即发货
BSC027N04LSG
英飞凌(INFINEON)
QFN

50000+:¥1.8645

10000+:¥2.0128

5000+:¥2.1187

1000+:¥2.9662

300+:¥4.2374

10+:¥6.8964

30000

-
BSC027N04LSG
Infineon Technologies/IR
SON

25000+:¥1.417

15000+:¥1.4419

10000+:¥1.4667

5000+:¥1.4916

40000

-
3-5工作日
BSC027N04LSG
Infineon Technologies/IR
SON

250000+:¥1.456

50000+:¥1.469

10000+:¥1.495

5000+:¥1.547

30000

21+
3-4工作日

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 40V
连续漏极电流(Id) 100A
导通电阻(RDS(on)) 2.7mΩ@10V,50A