BSC010N04LS
Infineon(英飞凌)
TDSON-8FL
¥1.9
19,737
场效应管(MOSFET)
数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):40V,连续漏极电流(Id):247A,导通电阻(RDS(on)):1mΩ@10V,50A
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BSC010N04LS
Infineon(英飞凌)
TDSON-8FL

1000+:¥1.9

500+:¥2.01

100+:¥2.24

30+:¥2.61

10+:¥2.99

1+:¥3.75

7601

-
立即发货
BSC010N04LS
Infineon(英飞凌)
TDSON-8-EP(5x6)

5000+:¥1.976

1+:¥2.08

695

2年内
1-2工作日发货
BSC010N04LS
Infineon(英飞凌)
TDSON-8-EP(5x6)

5000+:¥1.976

1+:¥2.08

1091

23+
1-2工作日发货
BSC010N04LS
Infineon(英飞凌)
TDSON8-FL

100+:¥2.4015

30+:¥2.5325

10+:¥2.5761

1+:¥2.7944

441

-
立即发货
BSC010N04LS
英飞凌(INFINEON)
TDSON-8

50000+:¥3.729

10000+:¥4.0256

5000+:¥4.2375

1000+:¥5.9325

300+:¥8.475

10+:¥13.7931

10000

-
BSC010N04LS
Infineon(英飞凌)
TDSON-8

500+:¥7.15

100+:¥7.62

20+:¥9.69

1+:¥11.32

1000

21+
BSC010N04LS
INFINEON TECHNOLOGIES
TDSON(EP)

500+:¥1.5444

100+:¥1.7633

10+:¥1.9344

1+:¥2.1667

200

2243+
1工作日
BSC010N04LS
Infineon(英飞凌)
PG-TDSON-8

5000+:¥1.9

1+:¥2.0

1297

23+
立即发货
BSC010N04LS
Infineon(英飞凌)
TDSON-8-EP(5x6)

5000+:¥1.976

2500+:¥2.08

1250+:¥2.1944

100+:¥2.4648

1+:¥3.0784

1097

--
1-3工作日
BSC010N04LS
INFINEON TECHNOLOGIES
TDSON(EP)

5000+:¥2.0055

300+:¥2.0657

100+:¥2.1459

30+:¥2.5269

10+:¥3.1988

1+:¥3.5096

10000

23+
1-3工作日
BSC010N04LS
Infineon Technologies/IR
TDSON(EP)

25000+:¥2.185

15000+:¥2.223

10000+:¥2.261

5000+:¥2.337

40000

-
3-5工作日
BSC010N04LS
Infineon Technologies/IR
TDSON(EP)

40000+:¥2.3397

20000+:¥2.3801

5000+:¥2.4607

10+:¥2.5213

500

23+
3-6工作日
BSC010N04LS
Infineon Technologies/IR
TDSON(EP)

1000+:¥2.4749

200+:¥2.5694

20+:¥2.7447

60000

23+
4-7工作日
BSC010N04LS
Infineon Technologies
TDSON(EP)

1000+:¥2.5782

500+:¥2.7249

100+:¥3.016

50+:¥3.4853

10+:¥3.7619

1+:¥4.1985

849

2335+
1工作日
BSC010N04LS
Infineon Technologies/IR
TDSON(EP)

250000+:¥2.7843

50000+:¥2.8092

10000+:¥2.8589

5000+:¥2.9583

24410

22+
3-4工作日
BSC010N04LS
Infineon Technologies/IR
TDSON(EP)

10000+:¥3.8307

5000+:¥3.8985

1000+:¥4.0002

10+:¥4.2375

10000

-
3-5工作日
BSC010N04LS
INFINEON
TDSON

1+:¥5.88

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 40V
连续漏极电流(Id) 247A
导通电阻(RDS(on)) 1mΩ@10V,50A