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BS250P
DIODES(美台)
TO-92L-3
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：45 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：230mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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封装
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价格(含税)
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库存
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渠道
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BS250P
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DIODES(美台)
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TO-92-3
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4000+:￥1.6 1+:￥1.7 |
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圣禾堂
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DIODES(美台)
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TO-92L-3
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1000+:￥1.7 500+:￥1.8 100+:￥2.01 30+:￥2.35 10+:￥2.7 1+:￥3.39 |
5203 |
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美台(DIODES)
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TO-92L-3
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40000+:￥1.76 8000+:￥1.9 4000+:￥2.0 1000+:￥2.8 300+:￥4.0 10+:￥6.51 |
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油柑网
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4000+:￥1.76 2000+:￥1.87 1000+:￥1.98 100+:￥2.211 20+:￥2.761 |
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3天-15天
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DIODES
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1000+:￥1.683 500+:￥1.782 100+:￥1.9901 30+:￥2.3274 10+:￥2.6775 1+:￥3.3689 |
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 45 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 230mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 14 欧姆 @ 200mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 60 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 700mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） |