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BS170FTA
DIODES(美台)
SOT-23
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：150µA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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BS170FTA
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DIODES(美台)
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SOT23
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3000+:￥0.58 1+:￥0.624 |
15194 |
25+
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立即发货
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圣禾堂
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BS170FTA
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Diodes(美台)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.6032 1+:￥0.64896 |
15166 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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BS170FTA
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DIODES INCORPORATED
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SOT-23-3
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1000+:￥0.6272 100+:￥0.6566 1+:￥0.784 |
2959 |
2335
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现货最快4H发
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京北通宇
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BS170FTA
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美台(DIODES)
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SOT-23
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30000+:￥0.638 6000+:￥0.6888 3000+:￥0.725 800+:￥1.015 100+:￥1.45 20+:￥2.36 |
15174 |
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油柑网
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BS170FTA
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Diodes(达尔)
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SOT-23-3
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3000+:￥0.638 1500+:￥0.6864 200+:￥0.7898 50+:￥1.0252 |
15184 |
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3天-15天
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唯样商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
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| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 150µA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5 欧姆 @ 200mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 60 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 330mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |