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BS170
onsemi(安森美)
TO-92
场效应管(MOSFET)
FET 类型：N 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：60 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：500mA（Ta），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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交期
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渠道
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BS170
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ON(安森美)
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TO-92-3
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10000+:￥0.48465 1000+:￥0.49365 500+:￥0.50265 100+:￥0.5112 10+:￥0.5175 |
221558 |
25+
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现货
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硬之城
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BS170
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ON(安森美)
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TO-92-3
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1000+:￥0.499 1+:￥0.553 |
2049 |
25+
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圣禾堂
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BS170
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onsemi(安森美)
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TO-92
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5000+:￥0.5143 2000+:￥0.5492 1000+:￥0.6074 150+:￥0.7535 50+:￥0.8593 5+:￥1.1063 |
13140 |
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立即发货
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立创商城
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BS170
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ON(安森美)
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TO-92-3
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1000+:￥0.51896 1+:￥0.57512 |
2042 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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BS170
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安森美(onsemi)
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TO-92-3
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10000+:￥0.5489 2000+:￥0.5927 1000+:￥0.6238 500+:￥0.8733 100+:￥1.2476 10+:￥2.0305 |
2049 |
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油柑网
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 500mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5 欧姆 @ 200mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 40 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 830mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） |