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BCP56-10T1G
onsemi(安森美)
SOT-223
三极管(BJT)
晶体管类型：NPN，电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1 A，电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V，不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA，电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
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厂家型号
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厂牌
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封装
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价格(含税)
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库存
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批次
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交期
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渠道
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BCP56-10T1G
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ON SEMICONDUCTOR
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TO-261-4
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1+:￥0.7184 |
248 |
2209
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现货最快4H发
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京北通宇
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BCP56-10T1G
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ON(安森美)
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SOT-223
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1000+:￥1.16 1+:￥1.27 |
1000 |
25+
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圣禾堂
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BCP56-10T1G
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ON(安森美)
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SOT-223
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1000+:￥1.2064 1+:￥1.3208 |
993 |
25+
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1-2工作日发货
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硬之城
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BCP56-10T1G
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ON(安森美)
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TO-261-4,TO-261AA
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1000+:￥1.276 50+:￥1.397 30+:￥1.804 |
1000 |
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3天-15天
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唯样商城
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BCP56-10T1G
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onsemi(安森美)
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SOT-223
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150+:￥1.3093 50+:￥1.4948 5+:￥1.9278 |
120 |
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立创商城
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价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 1 A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 80 V |
| 不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降（最大值） | 500mV @ 50mA，500mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 63 @ 150mA，2V |
| 功率 - 最大值 | 1.5 W |
| 频率 - 跃迁 | 130MHz |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |