BCP56-10T1G
onsemi(安森美)
SOT-223
¥0.7184
3,362
三极管(BJT)
晶体管类型:NPN,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1 A,电压 - 集射极击穿(最大值):80 V,不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 50mA,500mA,电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
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BCP56-10T1G
ON SEMICONDUCTOR
TO-261-4

1+:¥0.7184

248

2209
现货最快4H发
BCP56-10T1G
ON(安森美)
SOT-223

1000+:¥1.16

1+:¥1.27

1000

25+
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BCP56-10T1G
ON(安森美)
SOT-223

1000+:¥1.2064

1+:¥1.3208

993

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BCP56-10T1G
ON(安森美)
TO-261-4,TO-261AA

1000+:¥1.276

50+:¥1.397

30+:¥1.804

1000

-
3天-15天
BCP56-10T1G
onsemi(安森美)
SOT-223

150+:¥1.3093

50+:¥1.4948

5+:¥1.9278

120

-
立即发货
BCP56-10T1G
ON(安森美)
SOT-223

1000+:¥1.32

50+:¥1.43

1+:¥1.848

1000

25+
2-4工作日
BCP56-10T1G
On Semiconductor/Fairchild
SOT-223

110+:¥2.6565

66+:¥2.9146

22+:¥3.216

14832

-
14-18工作日
BCP56-10T1G
安森美(onsemi)
SOT-223

10000+:¥0.7082

2000+:¥0.7646

1000+:¥0.8048

500+:¥1.1267

100+:¥1.6096

10+:¥2.6196

0

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BCP56-10T1G
ON(安森美)
SOT-223

100+:¥2.2085

20+:¥2.2895

5+:¥2.33

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 1 A
电压 - 集射极击穿(最大值) 80 V
不同\xa0Ib、Ic 时\xa0Vce 饱和压降(最大值) 500mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
不同\xa0Ic、Vce\xa0时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 63 @ 150mA,2V
功率 - 最大值 1.5 W
频率 - 跃迁 130MHz
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA