ASDM40N52E-R
ASDsemi(安森德)
DFN-8(3.3x3.3)
¥0.5436
2,755
场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss):40V,连续漏极电流(Id):52A,导通电阻(RDS(on)):5.5mΩ@10V,耗散功率(Pd):65W
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ASDM40N52E-R
ASDsemi(安森德)
DFN-8(3.3x3.3)

5000+:¥0.5436

2500+:¥0.5792

500+:¥0.6385

150+:¥0.7718

50+:¥0.8786

5+:¥1.1278

1405

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100+:¥0.93

20+:¥1.03

5+:¥1.26

1350

21+/22+

价格趋势
规格参数
属性 属性值
漏源电压(Vdss) 40V
连续漏极电流(Id) 52A
导通电阻(RDS(on)) 5.5mΩ@10V
耗散功率(Pd) 65W