咨询/建议
AONR21357
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
DFN-8(3x3)
场效应管(MOSFET)
FET 类型：P 通道，技术：MOSFET（金属氧化物），漏源电压（Vdss）：30 V，25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：21A（Ta），34A（Tc），驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
|
厂家型号
|
厂牌
|
封装
|
价格(含税)
|
库存
|
批次
|
交期
|
渠道
|
|---|
|
AONR21357
|
AOS
|
DFN3x3-8L
|
5000+:￥0.94 1+:￥0.992 |
30692 |
25+
|
立即发货
|
圣禾堂
|
|
AONR21357
|
AOS(美国万代)
|
DFN-8-EP(3x3)
|
5000+:￥0.9776 1+:￥1.03168 |
30684 |
25+
|
1-2工作日发货
|
硬之城
|
|
AONR21357
|
AOS(美国万代)
|
DFN 3x3 EP
|
5000+:￥1.034 2500+:￥1.0912 1250+:￥1.155 100+:￥1.298 40+:￥1.617 |
30692 |
-
|
3天-15天
|
唯样商城
|
|
AONR21357
|
AOS
|
DFN_3x3mm
|
2500+:￥1.12 500+:￥1.23 50+:￥1.76 5+:￥2.15 |
5030 |
21+/22+
|
在芯间
|
|
|
AONR21357
|
AOS
|
DFN-8(3x3)
|
2500+:￥1.1455 500+:￥1.2658 150+:￥1.6587 50+:￥1.8754 5+:￥2.3809 |
3315 |
-
|
立即发货
|
立创商城
|
点击查看更多
价格趋势
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 21A（Ta），34A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.8 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)（最大值） | 70 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2830 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 5W（Ta），30W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |