AON7534
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
DFN-8(3x3)
¥0.5885
37,206
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A(Ta),30A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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AON7534
AOS
DFN-8(3x3)

5000+:¥0.5885

2500+:¥0.6282

500+:¥0.7667

150+:¥0.9149

50+:¥1.0337

5+:¥1.3109

14585

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AON7534
AOS
DFN3x3_8L

5000+:¥0.645

1+:¥0.695

3749

25+
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AON7534
AOS(美国万代)
DFN-8(3x3)

5000+:¥0.6708

1+:¥0.7228

3742

25+
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AON7534
AOS
DFN(3x3)

50000+:¥0.7095

10000+:¥0.766

5000+:¥0.8063

1000+:¥1.1288

300+:¥1.6126

10+:¥2.4996

3749

-
AON7534
AOS
DFN8

500+:¥0.75

150+:¥0.89

50+:¥1.02

5+:¥1.25

5000

24+/25+

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 20A(Ta),30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 22 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1037 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 3W(Ta),23W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerVDFN