AON7400A
AOS(Alpha & Omega Semiconductor)
DFN-8(3x3)
¥0.55016
23,565
场效应管(MOSFET)
FET 类型:N 通道,技术:MOSFET(金属氧化物),漏源电压(Vdss):30 V,25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A(Ta),40A(Tc),驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
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AON7400A
AOS
DFN3x3-8L

5000+:¥0.529

1+:¥0.571

1816

2年内
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AON7400A
AOS(美国万代)
PDFN-8(3.3x3.3)

5000+:¥0.55016

1+:¥0.59384

1809

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AON7400A
AOS
PDFN-8(3.3x3.3)

50000+:¥0.5819

10000+:¥0.6282

5000+:¥0.6613

500+:¥0.9258

100+:¥1.3226

20+:¥2.1525

1816

-
AON7400A
AOS(美国万代)
PDFN-8(3.3x3.3)

5000+:¥0.59665

1000+:¥0.60773

500+:¥0.61881

100+:¥0.62934

10+:¥0.6371

14648

25+
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AON7400A
AOS(美国万代)
DFN8_3X3MM_EP

5000+:¥0.6

1500+:¥0.65

500+:¥0.7

150+:¥0.85

50+:¥0.95

1+:¥1.2

661

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价格趋势
规格参数
属性 属性值
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 15A(Ta),40A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 7.5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷\xa0(Qg)(最大值) 24 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1380 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),25W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerVDFN